『電圧について』のクチコミ掲示板

[PCはやっぱ自作でしょ]

DDR4-3200の他のメモリは電圧1.35V が多いように思います。
これは1.２Vですがそれぞれのメリット・デメリットを教えてください。

書込番号：23126403

[とにかく暇な人]

＞PCはやっぱ自作でしょさん
単純に考えれば、低電圧で動作するメモリーメリットは、消費電力が低くなることではないでしょうか。
デメッリットは、低電圧で動作させるための工夫や半導体の品質向上の為に、コストが多くかかるため、そのコストが価格に跳ね返ってくることではないでしょうか。
尚、低電圧動作をうたっているのに価格が低いとすれば、動作の安定性が低いと考えたほうが良いのではないでしょうか。

書込番号：23126413

[クールシルバーメタリック]

1.2Vが低電圧なのではなくて、1.35Vが高電圧なだけです。
DDR4メモリーでは1.2Vが基本です。
DDR4-3200で1.35Vが多いのは、そいつらはOCメモリーだからです。
なので、そいつらのネイティブ動作、つまりSPDどおりだと1.2Vで2133動作だとか2400動作だとか2666動作だとか、そんなもんです。
んで、こいつはここ最近出始めたネイティブでDDR4-3200動作の代物です。
なので、1.2VでDDR4-3200で動作します。レイテンシはOCメモリーより多めだけど。

書込番号：23126425

[KAZU0002]

電圧が高いと、高消費電力となりますが、より高クロックで安定するようになります。
(電圧が高いと閾値まで電圧が到達するまでの時間が短くなる…という電子回路てきな話は置いといて。)
同じクロックなのに低電圧となれば、たんに製造技術の進歩により低電圧でも動作するようになったと言うだけです。逆に言えば、同クロックで電圧が高い物は、古いメモリとも言えます(クロックが同じなら性能差はさほど心配する必要は無いですが)。
DDR3の時代なら、低電圧で使いたい場合にはマザーボード側で低電圧に対応している必要がありましたが。低電圧品でも通常電圧で動作しますので、動かないと言うことはありません。

ノートPCならともかく、デスクトップでメモリの消費電力を気にしてもと思いますので。無理して低電圧品を買うことも無いかと思います。
…DDR4で、電圧気にして買ったことは無いです。

書込番号：23126437

[ZUUL]

JEDECが決めた DDR4メモリの標準電圧は 1.2Vで、3200品は
レイテンシーは CL22あたりで遅いです。
なので、定格電圧を引き上げて、1.35V対応にしてそんかし
CL16とかちょっと速くしたものがでてくる。

データセンターなどと違って、個人ユースの宅内パソコンなら、
1台でせいぜいメモリ 4枚だから、1.2Vにする低電力メリットはわずか。
電圧仕様は各人のお好みで選べばいいと思います。

書込番号：23126450

[uPD70116]

こちらが普通です。
電圧を上げるのはCPUのオーバークロックで電圧を上げるのと同じ理屈です。
普通の電圧でDDR4-3200動作が出来なかったので仕方なしに電圧を上げていただけです。
普通の電圧で動けばそんなことはしたくありません。

書込番号：23126461

[あずたろう]

今どきのメモリーは3200MHｚくらいでしたら1.2Vのままでも動作します。
当方でも3466MHｚも1.25Vで動作確認してます。（永続的使用ではないです）
ただ規格としては2666MHｚ以上は1.35Vです。
大した差でも電力差にもなりませんから気にするほどではないです。

書込番号：23126499

[揚げないかつパン]

プロセスの違いと設計の違いだと思います。

そもそも、DDR4の定格電圧は1.2Vで動作速度が出ないので電圧を上げて速度を上げてるのがOCメモリです。

勘違いしやすいのはJEDECメモリはかなり余裕のある設計がされてる事が多いのです。インテルがXMPという規定を作ったのはJEDECのメモリが余裕を持ちすぎてて、もっと速度が出せるのに出してないためです。
因みにJEDECの方は規格なので、そのモジュールはその速度で動作しなければならない（相性は電気的な特性の問題なので別問題）のです。

DDR4は4バンク4グループのメモリなので、素子は16サイクルで1回のアクセスなるので素子辺りの速度は200MHzです。こんなに遅いのには理由がありますが、簡単に言えば静電容量を利用してメモリの状態を保持してる為です。
プロセスが進むと速くなる理由はこの辺りが大きいですね。

1.2Vと1.35Vで電力の差は大きな目で見たら大した事は無いのですが、発熱の方の方が速度を阻害する要因ではあるのだけど、先ほど言った通り素子の速度自体は、そんなに速くは無いので電圧を上げる方が早く動作しやすいという事だとは思います。

自分的には、低電圧で速度がでるなら、低電圧の方が好ましいとは思ってます。
1.2Vなら、ヒートシンクも本来要らないですし、微細化は容量を増やす方向とも合致しますし、余計な発熱はやっぱり微細化されてるので少ない方が良いのでは？と思いますけどね。

Micron J-Dieは1.3Vで4400まで動作しましたし(8GB×２）、そういう意味でも新しいプロセス物の方が基本性能が高いとはいえると思います。

ここから主題と全く関係のない話

Micronのメモリ事業は旧 エルピーダが結構かかわってるので（現在はMicronの子会社）日本が有る程度関わってる部分はなんとなく好きな理由かも（実性能でも結構良いので関係ないと言えば無い）
Ryzenとの相性もいいので、最近はSamsungよりMicronを使ってる、本当に関係ないな。。。
エルピーダの前身は日立とNECだし、今も広島でDRAMを作ってる。とはいえ日本製という保証なんて保証もないのだけど、だったら良いな程度の話なんだけど

メリット

消費電力が低いのと発熱が低い

デメリット

1.35Vと比べるとやっぱりレイテンシや上限速度に差がでる

書込番号：23126920