B850 A ELITE WF7
- B850チップセットを搭載したATXマザーボード(ソケットAM5)。Ryzen 9000/8000/7000シリーズプロセッサーに対応。
- PCIe 5.0対応のM.2スロットを装備。Wi-Fi 7および2.5GbE有線LAN、Bluetoothに対応し、安定した高速ネットワーク接続が可能。
- 14+2+2フェーズのDr.MOS電源設計により、CPUへの安定した電力供給が可能。PC DIYに便利な機能を多数備えている。
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| 内容・タイトル | ナイスクチコミ数 | 返信数 | 最終投稿日時 |
|---|---|---|---|
| 1 | 6 | 2025年11月18日 10:53 | |
| 14 | 10 | 2025年7月18日 23:32 | |
| 0 | 9 | 2025年6月15日 15:52 |
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マザーボード > GIGABYTE > B850 A ELITE WF7
こんにちは
簡潔に伺うとこのマザーボードに付属しているヒートシンクを使わないで運用出来るのかを教えて頂ければと思います。
理由としては現在使用していて主にゲームをインストールしているSSDがヒートシンク付きだからです。
恐らくヒートシンクを外した状態での運用は可能かとは思いますがなにせヒートシンクを外した状態の画像が見つからずお助け頂ければと思います。
書込番号:26341380 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
>にくだるまさん
マザーボードに付属のヒートシンクは、使わないこともできます。
SSDのヒートシンクが、他の部品と干渉せず、十分な冷却能力があれば問題ありません。
書込番号:26341394
0点
>にくだるまさん
>ヒートシンクを外した状態の画像が見つからず
海外サイトのレビューですが宜しければどうぞ。写真はクリックで拡大されます。
https://www.thefpsreview.com/2025/01/06/gigabyte-b850-aorus-elite-wifi7-motherboard-review/
メーカー違いのマザーボードですが、うちもヒートシンク付きのM.2 SSD(WDS100T2XHE SN850X 1TB)を使用していますので、マザーボードのヒートシンクを使わずに取り付けていますが、うちのSSDは連続書き込みが続くと結構熱くなって大丈夫なのかコレ?と思いながら使い続けています。
書込番号:26341410
0点
ヒートシンクを外した図は、マニュアル24ページのとおりでしょうか。
https://www.gigabyte.com/jp/Motherboard/B850-AORUS-ELITE-WIFI7-rev-1x/support#support-manual
https://download.gigabyte.com/FileList/Manual/mb_manual_b850-aorus-elite-wf7_1101_e.pdf?v=6c0b01798710f63d993e85cf81315b60
特にヒートシンクカバーなしでの運用は、発熱の少ないM.2 SSDやヒートシンク付きのM,2 SSDなら問題ないでしょう。
書込番号:26341421
0点
外しての運用はできるけど一枚ずつは出来ないので3枚ともになるのかな?
追加が有ると、ヒートシンクを別途買わないとダメかな?
格好は良いんだけどねー
書込番号:26341646 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
何処まで冷却出来るかの自身の構成かと思います
ここで質問するより実際に組んで実証するのが1番だと思いますよ
なんせ漠然と質問してgen5環境なのかgen4なのかも記載されて無いですからね
書込番号:26342664 スマートフォンサイトからの書き込み
1点
巨大な板状の部分が切れ込みのところからなくなるだけです。
ただSSDヒートシンクの厚さによってはビデオカードとの干渉があり得ます。
CPU直結側の二つは使えないかも知れません。
書込番号:26342971
0点
マザーボード > GIGABYTE > B850 A ELITE WF7
初自作を考えております。
フェーズダブラーとはまた別のものなのでしょうか。
教えていただきたいです。
よろしくお願いいたしますm(_ _)m
書込番号:26227537 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
フェーズダブラーは位相を変えて、フェーズを増やすものですが、各社から出ているツインフェーズVRMとかは別に位相は変えないで、電力分散を行うための回路です。
タブラーを使って位相を変えると遅延が発生しますが、そもそもフェーズ数が十分なら位相を変えないで電力回路を分散した方がスイッチングの速度が速くなるので有利という考えからそう言う回路構成が最近は流行ってます。
書込番号:26227582 スマートフォンサイトからの書き込み
3点
フェーズダブラーとか昔の話でとりあえず忘れましょう。
デジタル Twin VRM 電源設計の説明にはハイサイド・ローサイドのパワーMOSFETとドライバICを1チップに統合したDrMOSと高品質チョークや長寿命コンデンサを組み合わせていると説明されてます。
つまり今のCPUはアイドリングから最大クロック迄・・多いCPUだとパーキングから6GHz近くまで上がりますがフェイズ数増やせば最大クロック時には対応できますが、VRMはアイドリングになるとフェイズ数も減らしますしそうなると電圧リプルが発生し、不安定になりますね。
まあ簡単に言うとそれをなくせるように電流を絞ったり出し切ったリス動作にも単にVRMの数で操作するだけではないということだと思います。
自分も詳しくは分かりませんが、説明見てるとそんな感じかなと思います。
書込番号:26227782
1点
ハイサイドとローサイドのドライバーをワンタップにしてと言うのはDr.MOSの説明そのものだと思います。
Dr.はドライバー回路のことだし、MOSはMOS FETの話なので、ハイサイドMOSとローサイドMOSをワンタップにして省電力にしましたってDr.MOSの説明です。
じゃあTwinというのは?という話ですが、電流が低い時にはシングルの回路にして電流が高い時にはツインの回路にするのは電力的にはある程度、切れそうですが、片側を止めるスイッチが必要になるので、Dr.MOSの前にスイッチが必要になりそうです。
Dr.MOSをハイブリッドにして2つのDr.MOSとスイッチまでコンポーネント化してるなら、まあ、ありかな?とは思います。
ダブラーは遅延を嫌がったのでなくなったのだけど、ダイレクト多フェーズも無くなって来てるけど、コストなのかな?
書込番号:26227828 スマートフォンサイトからの書き込み
1点
>ハイサイドとローサイドのドライバーをワンタップにしてと言うのはDr.MOSの説明そのものだと思います。
そんなことは分かってます。
>ドライバICを1チップに統合した
ここの説明をしています・・・と言っても表面的な事しか書かれてないので詳細は分かりません。
とりあえず最近のマザーはRyzenでいうと6CoreのGシリーズから上は220Wくらい行く16CoreのCPU迄使えないといけません。
書いた様にフェイズ数を増やしても省電力使用時はフェイズ数はがた減りするので、アイドリングが不安定になるからそれを防ぐためにハイエンドマザーにはVRMの周波数を切れかえる設定が入っています。
それを800とかにすると安定はしますが、アイドリングの電力は増えるし温度も上がります。
それをハードでもう少し何とかしようというものです。
ダブラー単にコストけずるために少ないフェイズ数で高出力時にフェイズ少なくてもCPUに多くの電力送るための物なので、発想が全然違うという話です。
なので比べる意味はありません
ダブラーとは全くはそうも違うので、比べる意味も無いということです。
書込番号:26227930
1点
なんて言うかダブラーが無くなった原因はDr.MOSだからとかそう言う問題じゃなくて、位相を変える回路なので、電圧を上げる際にや下げる際に遅延が発生するからよろしく無い、要は必要な電圧上昇が劣化するからという理由で無くなっていったもの、もっと言うと、8フェーズを16フェーズにしても、位相が45度から22.5度になっても周波数を上げれはリップルは気にならないよねと言う話だからですよね?
リップルを極限まで減らす事がいい事では無くて、その遅延が無視できないので、フェーズコントローラ以下に更にフェーズをコントロールするダブラーは余計に悪いし、必要性もそれほど無いけど、大電力時に電源回路数は欲しいので各フェーズを2回路にして電力を増やした方が良かったから、そう言う回路構成にしてると言う話だと思います。
まあ、タブラーが流行った時期はリップルは小さい方が良いと言う時期だったのでダブラーを付けたけど、付けて分かったのは遅延するからCPUの電力遷移の効率が落ちちゃったから辞めた。その代わりに電源を2回路でフェーズを一つにしたと言う感じですよね。
書込番号:26227960 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
>なんて言うかダブラーが無くなった原因はDr.MOSだからとかそう言う問題じゃなくて
人の書いてることが理解できてないようですね。
理解もできてないのにそういう問題じゃないとかなぜ書けるのか・・相変わらずですね。
だったらこのGIGABYTEのTwin digital VRMを一から全部自分の考えだけで説明しなさい。
>リップルを極限まで減らす事がいい事では無くて
誰もそんなことも書いてませんね。
自分は実際14900KSをオーバークロックしてた時にフェイズ数が22あるマザーでもアイドリングで落ちたりしてたんですよ。
それをVRAM周波数を上げることで安定したという話で、極限までなくす話ではなく、アイドリングで普通に落ちずに動く程度に動かせるという話です。
リップルは揺らぎなので大電力時もない方が良いに決まってますけどね。
そんな時に揺らいだらそれこそ一発で落ちますから。
これは個人的意見ですがリップルは無理だろうけど極限まで減らせるなら減らした方が良いでしょう。
音にもこれは影響出ますから、マザーのDACにもリップルなければ良い影響は出るはずです。
あとそもそもダブラーを必ずすべてのマザーが使ってたわけではないはずです・・・まあよくは知りませんけど。
コストかければ昔からそんなもの使わなくてもフェイズ数ふやせば行けたはずですからね。
だから無くなったというのも表現は変ですね。
書込番号:26228012
3点
あなたこそ、ちゃんと読んでますか?
フェーズコントローラの周波数を上げればフェーズ位相を増やす効果と同じ効果を出せると言ってます。
ダブラーは位相を増やす回路のことです。
7+7フェーズと記載があるので同じ周期のフェーズが2つが一つの回路になってます。
ダブラーを使うと、遅延が発生するので最近は使われなくなってるし、それを言うならDrrect16フェーズというダブラーを使わない回路だって前はありました。
けれど、一周期の周波数を上げる事で、見かけのリップルは減らせます。
なら遅延を増やさない方が無難な設計になるのです。
ちなみにじゃあ何で、前はダブラーを使ってた?と言う話になるなら、CPUからの電圧調整周波数を別回路で周波数変換できなかったからでしょう?
それを最初にやり出したのがASUSでダブラーを最初に否定したのもASUSで利点が無いからやめたと言ってたはずですよ。
書込番号:26228068 スマートフォンサイトからの書き込み
2点
自分は君の話をおかしいとか一言も書いてないし、フェーズダブラーの説明が間違ってるとは一言も書いてません。
それに引き換えあなたは・・・
>Dr.はドライバー回路のことだし、MOSはMOS FETの話なので、ハイサイドMOSとローサイドMOSをワンタップにして省電力にしましたってDr.MOSの説明です。
と書いてますが自分はそもそも省電力の話も書いてないしできた経緯が違うという話で書いてます。
人の話を引用して自分の意見書くならその書いた内容を理解しろと言う話です。
だから自分が書いてるのはあなたが引用したところののみ限定指定して書いてますよね。
では自分が書いた内容が誤ってるというならどこがどう違うのか具体的に書いてみましょう。
自分はフェーズダブラーが悪いとも書いてないし、あなたが書いた・・・
>フェーズ数が十分なら位相を変えないで電力回路を分散した方がスイッチングの速度が速くなるので有利という考えからそう言う回路構成が最近は流行ってます。
これはその通りだと思いますよ。
だけどそれでは違いの説明になってませんね・・・遅延が多いというだけで。
自分はどういう流れでデジタルフェイズと呼ばれる電源フェイズが出てきたかの話をしてるから比べる物でもないと書いてます。
これはMSIがこれを使いだしたころに中の人が説明してるのをほぼそのまま書いてるだけですけどね(笑)
ダブラーは簡単に言うと付属品ですね。
だから遅延も起こるんです。
フェイズコントローラーその物自身の性能・・つまりこの場合周波数ですがこれを上げることです。
ダブルと言うがそもそも位相を変えて付けてるんでしょうからここはダブラーと同じ発想ですね。
両者の違いは、ダブラーはフェイズコントローラーがアイドリングで減ったら同じように周波数は下がりますが、そのデジタルコントローラーならフェイズ数分の周波数が下がっても、1個当たりの周波数は全開時よりも上げることもできますね。
その上げ下げできるところがデジタルなんだと思うけど。
だから安いマザーやメーカーによってはVRM周波数を変えれないマザーはたくさんありますけどそれはこういうデジタルフェイズになってないということです。
使ってても以前のAsRockみたいにマザーのBIOSに調整項目がない変なマザーもありますけどね。
これは手動でもできますが一応最初はAUTOである程度調整はされてるはずです。
もう一度書きますがダブラーはフェイズ数がアイドリングとかで減ってきたらそのまま周波数は下がるけど、このGIGABYTEのもそうだけどアイドリングで数は減っても周波数は上げれるのがこの書かれてるデジタルフェイスということだと思います。
結構前からあるけどね。
書込番号:26228099
2点
コントローラーはこれ見たいです。
https://www.richtek.com/Home/Products/Vcore/amd-vcore/RT3678BE?ForceDevice=1&devicename=richtekweb&sc_lang=en
標準で400kHz動作の様で周波数変更もできそうですが、出来るかどうかはマザーのBIOSにもよりますね。
回路図見たらわかりますがダブラーとは全然違います。
書込番号:26228188
1点
返信遅れてしまい、申し訳ないです。
中々に難しい話でまだ正直ピンとはきていないです(笑)。
ただ大丈夫そうということはわかったので、このマザーボードにしようと思います。
わからなかったことはこれから少しずつ学んでいこうと思います。
教えていただいたお二人に感謝します。
ありがとうございました!m(_ _)m
>揚げないかつパンさん
>Solareさん
書込番号:26241331 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
マザーボード > GIGABYTE > B850 A ELITE WF7
下記の構成にて自作し、biosすら起動しませんのでここの方お力をお借りしたいです。
ryzen5 9600x
b850 aorus elite
Patriot Viper Venom PVV532G600C36K 2枚
msi rtx3080
上記の構成で起動時ファンは回るが映像が出力されないマザボのチェック機能にdram異常ランプ点灯
メモリは各スロットそれぞれのメモリを一枚刺しで試しましたが、状況は同じでした。
懸念点としては2つあります。
1.マザーボードcpu電源の8pin4pinのうち、4pinを持っていないので装着していない
2.以前、中華製のマザーを試しに使ったところヒートシンクがずれておりショートして破損した。その際に今回使用しているメモリを使用していた。
書込番号:26210209 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
cmosクリアはジャンパーで実施してます。
書込番号:26210218 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
1.マザーボードcpu電源の8pin4pinのうち、4pinを持っていないので装着していない
→ こちらに関してじは補助的な要因が強いです、一応、つないでないから起動できないケースはなくはないですが、可能性としては薄いと思います。一応DRAM LEDが点灯するなら少なくともDRAMチェックはしているので別の理由な気はします
2.以前、中華製のマザーを試しに使ったところヒートシンクがずれておりショートして破損した。その際に今回使用しているメモリを使用していた。
→ その時にメモリーが壊れた気はします。こちらは代替えのメモリーはないのでしょうか?個人的にはショートしたようなパーツを使うのは原因がこれに限らず2次被害の可能性を考えるとやめた方が良いので、交換メモリーを購入してみる方が良いと思います。
書込番号:26210253
0点
ご返信ありがとうございます。
メモリスロットや端子等を見た感じ焦げやへんな匂い等しませんでしたので無事かと思ってましたが危ないですかね、、、
新しいメモリセットを購入しました。
書込番号:26210319 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
>testpさん
後、近所にパソコン工房の店があれば持ち込んで一緒に動作確認しても良いかも…。
※525円でサービスが受けれます。
https://pc-support.unitcom.co.jp/support/onecoin.php
書込番号:26210342
0点
まあ、そうではない可能性もあるんですが、ショートに巻き込まれた時に使ってたパーツというのはどう言う状態かは分からないので、自分は二次被害が怖いので使わないです。
書込番号:26210375 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
テスター買って、3.3, 5, 12V とGND がショートしてないか、確かめた方が、安全かと。
探せるなら、マザボやグラボで作っている、1.2Vだったかな、とかのラインのショートも調べたほうが、さらに安全かと。
ショートの疑いがあるのに、電源入れてしまったのは、まずい。
書込番号:26210643 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
マザボ+CPU+メモリで一度パソコン工房に持って行ってみます!
書込番号:26210876 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
生憎ddr5のメモリを一組しか持ってなかったんですよね、、、
書込番号:26210877 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
ショートしたのは他のマザボです。
メモリ、および故障時のスロットにも焦げや異常な匂い等はありませんでした。
書込番号:26210881 スマートフォンサイトからの書き込み
0点
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