『電圧とLatencyの関係』のクチコミ掲示板

[クリッサダ]

いまだに、PC2100のシステムを使用しています。(KT266A EPOX 8KHa+)
PC3200CL3のメモリーをPC2100で、2,2-2-6の設定で使用しています。
おそらくPC3200のメモリーは、SPDでは、PC2100のときは、2,3-3-6
のはずですから、規定より低Latencyで使用していることは承知の上での質問です。

２枚ざしまでならば、上記の設定で安定動作しますが、
３枚ざしの場合、memtest86+でエラーは出ないものの、
どうしても、Windows起動のときに、ログインのところでこける事があります。
(2,3-3-6の設定にすれば大丈夫)
これはメジャーメーカーの準拠チップを使用したときの状態。
だいたい、安物だと3枚ざし状態の2-2-6設定では、memtestでもエラーでます。
したがって現在は２枚ざし状態(1GB)にて使用しています。

規定どおり使えばよいのはわかっていますが、
足掻きとして、DIMM電圧を2.5Vから2.7Vなどに変更し場合、
クロックアップではなく、Latencyにも効くものなのでしょうか？
自分で実験すればよいのですが、ちょっとココのところ忙しくて
試すのがだいぶ先になってしまいそうです。
(実験したらご報告する所存でおりますが)
技術的な興味からも、DIMM電圧とLatency、及び、複数枚ざしとの関係を知りたいと思った次第であります。
勝手な質問ですが、どなたかわかる方がいたらご教授下さい。

書込番号：6879968

[ZUUL]

例えば、HynixのDDR400は
VDD, VDDQ = 2.5V +/- 0.2V for DDR200, 266, 333
VDD, VDDQ = 2.6V +0.1V / -0.2V for DDR400, 500
チップのグレードがあって、基本的にひとつのグレードは
ひとつの周波数に対応しているようです。
DDR400チップをDDR266でも動くと規定しているのは
チップメーカじゃなくてモジュールメーカだと思われます。

電圧を上げれば波形の立ち上がりは速くなるでしょうが
バウンドが大きく、ノイズも大きくなるでしょうから
レイテンシが詰められるかどうかは疑問です。
確実な動作を求めるならばメーカの保証からはずれることは
やらないほうがいい。
以上、半分は推定の話でした。

書込番号：6880797

[クリッサダ]

>電圧を上げれば波形の立ち上がりは速くなるでしょうが
>バウンドが大きく、ノイズも大きくなるでしょうから
>レイテンシが詰められるかどうかは疑問です。

なるほど、やはり、電圧アップはクロックアップには効いても
低レイテンシ化にはあまり有効ではないようですね。
ふとで思い立ったことなので、
とりあえず、自分でやってみるだけでもやってみます。
ありがとうございました。

書込番号：6883064