『アスキーにレビュー出てました』のクチコミ掲示板

[OCWM]

私　期待してたのですけど・・・
こんな感じでした。
http://ascii.jp/elem/000/001/180/1180519/?topnew=7
SATAの製品は　もう頭打ちですよね。

書込番号：19974786

[翠緑柄眸]

そりゃあ物理構造が３Dになって、プロセスが推定50nmになっただけで、TLC NANDフラッシュである事に違いは無いのだから、高性能化しないのは致し方無いでしょう。

まあTBWは太プロセスで大きくなってるけど、保証年数はNANDの耐久性よりも基板やコントローラの品質によるし、こんなもんでしょう。

あとは無通電時のData保持期間が、多少は長くなるだろう程度ですが、TLCでは大きな期待は無理かと。

個人的にはMLC品が出る迄待ちだと思ってます。

書込番号：19976013

[ガリ狩り君]

SATA3は規格として既に限度で、現段階TLCに書込み耐久性能を求めるのどうかと思う。
IMFT(インテル＆マイクロン連合)は昨年辺りに、新たに開発した３DのNANDは、通常のNANDよりも遥かに高性能なものを開発したと謳っていたけど・・・
株価上げるためのリップサービスだったのかな('A`)ﾊﾅｶﾗｼﾝﾖｳｼﾃｲﾅｲｵﾚ


依然とコンシューマー向けはDWPD表記していないし、容量多いからTBWが必然と多いだけで、予備領域の使い始めと膜層破損によるデーター保持期間変動の方が気になる。

書込番号：19978168

[翠緑柄眸]

100TBの超大容量SSDを狙う4bit/セルの3D NANDフラッシュ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1014785.html

｜　3D NANDフラッシュではメモリセルの蓄積電荷量は、2D NAND(プレーナNAND)フラッシュに比べてはるかに多い。
｜例えばTLC(3bit/セル)方式で言えば、15nm技術のプレーナNANDフラッシュメモリセルに比べて、6倍の電荷を蓄積できる。
｜QLC(4bit/セル)方式の3D NANDフラッシュでも、蓄積電荷量はプレーナの15nm TLC方式セルに比べて3倍を確保できる。

この理屈で言えば、3D TLC の電荷量は、15nmな2D MLC の３倍を確保出来てる話になりますね。

Micron（＆Intel）の 3D NAND は、Samsungや東芝（＆SeaGate）のチャージトラップ方式と違って、2D NAND と同じ浮遊ゲート方式なので、MX300の無通電時データ保持力は、理論的に２D MLC 以上かも知れませんね。

尤も、Samsungと違って大量生産の製造実績がこれからなので、実質的なデータ保持力は分かりかねますが。

書込番号：20107804

[takazoozoo]

３DVNANDのTLCは2D MLCより高耐久なのってとっくの前からの常識だと思ってたんですけど
いまだにTLCかMLCかでしか見てない人なんているんですね

書込番号：20139366