『裏面照射型 Live MOSって何？』のクチコミ掲示板

[しま89]

G99M2のレビューの続きで少しお付き合いを
https://bbs.kakaku.com/bbs/K0001667665/SortID=26197803/#tab
そもそもでG99M2のセンサーがIMAX269のセンサーが型落ちで同じ物は大人の事情で作れないからパナソニックはCMOSセンサーで同じ仕様のセンサーを出してきたのに頑なに同じLive MOSセンサーと言われてますが、Live MOSセンサーとCMOSセンサーは別物です。

本題ですが、OM-5 Mark II がOM-1 II と同じ20MP 積層型センサーを搭載という噂がでてます。これはちょっと期待して嬉しい話しですが。
Live MOSセンサーの特徴はCMOSセンサーの制御配線３本から２本にして受光面積を確保してるですが、裏面照射型に変われば受光面積を確保できるため、Live MOSと名乗る必要もなく、パナソニックはG9M2まではLive MOS センサー でGH7からは裏面照射型(BSI)CMOSイメージセンサーとLiveMOSと言ってないのですが、OM-1のセンサーは裏面照射積層型 Live MOS センサーなんですよね。
ひっくり返して配線が裏にいった裏面照射でLive MOSを名乗る必要はあるんですかね、それとも従来の20Mセンサーに搭載できるように裏面照射でも配線数を減らして同じ回路にしているとか、このセンサーこそ名前だけ、CMOSセンサーと変わらないだと思うんですが

書込番号：26202553

[Kazkun33]

名前なんて何でも良いのでは！
所詮、メーカーはあたかも他社より優れているかの様に言いたいだけなので。

書込番号：26202578

[mosyupa]

ライブビュー撮影に特化したE-330のセンサーが耳慣れないNMOSセンサーで名前が浸透してきていたCMOSでは無かったために売りのライブビューに特別感を出すためにライブMOSという呼称を使うようになった。
そもそもセンサーの形式名として使っていないので、自社が採用したライブビュー撮影に向いたMOSセンサーはライブMOSとしている。
仕様表に形式名では無く呼称を使うのは違和感がありますが、E-M5発売後ソニー製CMOSセンサーなのにLiveMOS？って議論があった時の結論（海外インタビュー等から判断）はそうだったと思います。

書込番号：26202722

[YoungWay]

＞しま89さん

そもそもですれど、DC-G99は、センサー幅いっぱいのオーバーサンプリングによる4K30p動画が撮影できますが、このスペックはIMX269では満たせないので、DC-G99にIMX269が使われていたという見立ては誤っていると思いますよ。
IMX269は、XiaomiのM1Y1に使われていたようですね。

書込番号：26202730

[ありがとう、世界]

Live MOSセンサーの特徴はCMOSセンサーの制御配線３本から２本にして受光面積を確保してるですが、裏面照射型に変わっても、
電荷蓄積「層」の厚みが同程度であれば【電荷蓄積部分の体積】が大きくなる ⇒ ダイナミックレンジにおける電荷の量の要因の上でも有利になるとは思います。

ただし、上記の構造上の利点の有無に関わらず「なんでもかんでも Live MOS」と呼称していると、それはどうなの？と思います(^^;



なお、パナですが、
・パナソニック、半導体事業の売却完了
(※2020年9月1日付けの記事 )
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO63299210R00C20A9000000/
↑
撮像素子を含めて半導体事業を売却しているので、
売却以降は「自社設計」はあっても、
「自社製造」は無くなっているので、これについては注意が必要かな、と(^^;

※事業売却前の「自社製造」分の在庫を多量に持っているなら、無くなるまで有効とは思いますが、
「・・・は、あと10年は戦える」という(かつての)有名なセリフのようであっても、これは経年劣化や「技術的な相対的な劣化」が気になりますね(^^;

書込番号：26202772　スマートフォンサイトからの書き込み

[しま89]

2021年5月29日のとるならの記事から引用

＞YoungWayさん
＞センサー幅いっぱいのオーバーサンプリングによる4K30p動画
違いますよ、パナソニックのGH5、GH5Mk2、G9 以外の20Mセンサーのカメラの4kは1.25倍クロップのピクセルバイピクセル方式です
IMX269の出所は2015年のGX8センサーの時からですから型落ちもやむなしでしょう

https://dclife.jp/camera_news/article/panasonic/2015/0714_02.html

書込番号：26202887

[ほoち]

CCD
配線2本で開口面積広い

旧CMOSセンサー
配線3本で開口面積狭い

LiveMOSセンサー
配線3本、垂直構造の工夫と回路共有などで開口面積はCCD同等

新CMOSセンサー
配線3本、垂直構造の工夫と回路共有などで開口面積はCCD同等


オリパナからLiveMOSが登場したのが2006年
他社一眼カメラにCMOSを本格的に採用し始めたのが2007年(ソニーのExmorなど)、このときには既に新CMOSセンサーに切り替わっていた



＞ このセンサーこそ名前だけ、CMOSセンサーと変わらないだと思うんですが

カメラに限って言えば、当初からLiveMOSと他社CMOSセンサーの間にほぼ差はなく呼称の差だけだった

と私は考えています

書込番号：26202907　スマートフォンサイトからの書き込み

[しま89]

＞ありがとう、世界さん
＞「自社製造」は無くなっている
フジのTX-3センサーの海外製騒動みたいな話題になってませんが、パナソニックのセンサーはL2テクノロジーのクロスライセンスのおかげでライカが使っている海外のパートナー会社が使えるみたいです。
ソニーのセンサー事業が設立当初の目的から一脱しているから、Z9センサーのように自社設計したのを別で製作してから、ソニーで委託製作のような話が絶えないのかな

書込番号：26202909

[しま89]

ほoちさんのLiveMOSセンサーの箇所
配線3本、垂直構造の工夫と回路共有などで開口面積はCCD同等
　↓
配線2本で開口面積はCCDと同等、受光部はLive MOS用の回路を新しく設計、制御用配線を3本から2本に減らしたので転送回路で高速転送ができてライブビューを可能にした・・・かな
ですが、理屈だけ見ると従来のCMOSより確かによさそうですが、LiveMOSの商標をオリンパスが持っているからか他では使ってないし、転送回路で高速転送ができるといっても他社ではCMOSセンサーでもライブビューは出来てるし、CMOSセンサーも時代で変わってきてますから、小さいセンサーの受光部を大きくするメリットはM4/3だけなんでしょうね。

書込番号：26202955

[ほoち]

＞ 制御用配線を3本から2本に減らしたので

この情報源どこかで見たことありますか？

私の知識ではそれは不可能なんじゃないかと長年疑問に思っていまして、かなり探してみたのですが見つからないのですよね
具体的にどんな回路ならそれが実現するのでしょうか

結論としては線自体は減らないです

書込番号：26202975　スマートフォンサイトからの書き込み

[しま89]

＞所詮、メーカーはあたかも他社より優れているかの様に言いたいだけ
これが正解？ですかね
積層型センサーは製作の歩留まりが多いと言われてますし、このセンサー出したときOMDSは20Mセンサーが1番使いやすいとアナウンスしてた記事の記憶もありますから、EVF付きのOMシリーズでセンサーを統一するという意味ではコストを考えると多分理にかなってる気もしますが、E-M10とかPENにまで使ってきますかね、使うにしてもOMDSはセンサーの開発を含めてハードが弱いイメージがあるんですよね

書込番号：26202982

[しま89]

＞ほoちさん
GoogleのAIの回答です
Search Labs | AI による概要
Live MOSセンサーとCMOSセンサーの違いは、信号読み出し方式と受光エリアの広さです。Live MOSは、CCDと同様に2本の配線で信号を読み出すことで、受光エリアを広くし高感度性能を向上させています。一方、従来のCMOSは3本の配線で信号を読み出すため、受光エリアが狭く、低感度でした。

元の記事は下記のリンクです、結構前にLive MOSセンサーの違いと裏面になったらで検索したときに出てきた記事です
https://a-graph.jp/2017/11/01/31650

書込番号：26203003

[ほoち]

何度か引用させていただいている情報ですが


https://www.mos.t.u-tokyo.ac.jp/~y-oike/Papers/rinko_d3.pdf

Page6

---引用----
標準 CMOS プロセスからの脱却により，暗電流の低減
が実現され，物理的に不可避なショットノイズが画質を
決める主要因となってきた．これにより，充分な開口面
積を確保できる場合は CCD に匹敵する画質を実現可能と
なったが，3μm 前後の画素ピッチにおいては，Fig.7 に
示したように，開口率の減少によるショットノイズ増加
の問題が残っていた．2004 年 4 月，Canon，松下電器産
業 (以下，松下)，Sony の 3 社はそれぞれ，埋め込みフォ
トダイオードによる電荷完全転送を利用した読み出しア
ンプの共有技術と，プロセスの高さ方向の最適化などに
よって画素ピッチ縮小のブレークスルーを発表した．こ
れらの技術は，Fig.15 に示すように，受光部面積の占有
率を上げることに成功し，2.8μm 画素ピッチにおいても
30%前後の開口率を実現，CCD に匹敵する画質を提供可
能とした．
Fig.16 は松下の発表した「νMAICOVICON」[19] の画
素構造である．前述した通り，主な CMOS イメージセン
サは標準 CMOS プロセスのまま製造されることは少なく，なんらかのカスタマイズが加えられている．
----引用ここまで----


Fig.15に、webでよく見かける線が1本減って開口面積が広くなった図が示されています
Fig.16に回路共有の回路ブロック図が示されていて、νMAICOVICONでは回路共有が採用されていることと、SelectやResetなど回路そのものは同じであることが示されています

本文中で、キヤノン、パナ、ソニーがそれぞれこれらを実現したこととこれが2004年に起こったことが説明されています


それらを疑わないとすると、
開口面積の優位点というのは旧CMOSに対しての話を宣伝文句としてつかったのであって
2006年2007年にカメラに搭載されたLiveMOSとCMOSセンサーではもう差がなかったと考えて自然だと思います

書込番号：26203042　スマートフォンサイトからの書き込み

[ほoち]

https://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/0213/pana.htm

松下は、公に向けてνMAICOVICONの開発発表などではこの回路共有に触れておらず、以下のような言い回しをしています

----引用----
画素内の信号読み出し回路の駆動方式の改良により、制御用の配線本数を2本に削減。
----引用ここまで----

これを受けてニュースサイトや個人ブログで配線が2本になったとしていますね、広まってる説の源はここと思います


なぜ松下がこのように表現したのかは謎です

書込番号：26203094　スマートフォンサイトからの書き込み

[ほoち]

私の考えがが正しいとすると、こういう表現のほうが実を表していると思う

回路共有技術によって、
回路的には1画素には元のまま3本分の線が必要なのだけど
配線的には「1画素ごとに3本」必要だったものが「4画素ごとに8本」に削減することが出来た

書込番号：26203113　スマートフォンサイトからの書き込み

[YoungWay]

＞しま89さん
> 違いますよ、パナソニックのGH5、GH5Mk2、G9 以外の20Mセンサーのカメラの4kは1.25倍クロップのピクセルバイピクセル方式です
なるほど…
OM機ですと、OM-5はもちろんですが、E-M10 mark IVでも4K30pはクロップされないですね。

ところで、今年のCP2025+でのインタビュー記事なのですが、

参考: https://www.imaging-resource.com/news/2025/05/07/panasonic-cp2025-interview-micro-four-thirds-insights-full-frame-strategy-a

> Is the lack of PDAF in the G97 a matter of manufacturing cost or is it more about product differentiation?

のパラグラフで、

> To be honest, the biggest factor is cost. Developing new sensors involves significant investment, so it becomes difficult to offer them at a reasonable price for customers. That’s really the main issue.

新しいセンサーの開発には多額の投資が必要(だからしていない)と言っているので、これを信じるならG99のセンサーとG99M2のセンサーは同じものだと思います。

書込番号：26203323

[YoungWay]

追記ですが、DC-G99のセンサーがIMX269であるかどうかは私には判断材料がないのですが、IMX269のデータシートには「Diagonal 21.77 mm (Type 4/3) CMOS Image Sensor with Square Pixel for Color Cameras」と、書いてあるんですよね…

やはり、PanasonicはOLYMPUS/OM SYSTEMと同様に、SSS製のCMOSイメージセンサーであってもLive MOSと表記していたのを止めたけれども、OM SYSTEMはLive MOSの表記を止めていない。ということだと思います。

書込番号：26203359

[ほoち]

＞YoungWayさん
＞Live MOSと表記していたのを止めたけれども、OM SYSTEMはLive MOSの表記を止めていない

そういうことですよね単に

OMの方は、カメラに搭載される様々な機能にlive〇〇と付けてそのブランドを維持し高めようとしてますし

逆にパナは、liveというブランドに価値を見出せないのでオリンパスからOMになった前後のタイミングでその商標にまつわるもろもろの整理したんじゃないでしょうか
SSWFもやめたようなので、残るは「マイクロフォーサーズ」のみになりますねOMが持ってる商標でパナが使ってるの

LiveMOSというのがセンサー技術に全く関係ない呼称と納得できれば、その他のことはなんら違和感がないです

書込番号：26203372　スマートフォンサイトからの書き込み

[しま89]

＞YoungWayさん
新しいセンサーの開発は位相差等これからのセンサーに対してですよね。パナソニックはOM -1のセンサーは使えないと判断してますからGH7も新規に開発してますし、DFDオートフォーカスについては、静止画用途であれば大きなデメリットはないとありますので、従来センサーのリメイクならばコストはかからないと判断して、G99M2は一般的なCMOSセンサーを採用してるということだと思います。

書込番号：26203381

[ポロあんどダハ]

今更CMOSとMOSの差を云々って、どうなっているんでしょうか？

CMOSは　Complementary Metal-Oxide-Semiconductor　の略で、MOSが片電源（アースに対して＋か−のどちらか電圧の電源）で済むのに対して、CMOSは＋と−の２電源が必要になる分、配線が撮像素子表面に占める割合が増え、不利だったということだけです。
パナの特許はＮチャンネルだけの−電源だけで構成できる分、配線が減り有利だったはずですけど、CMOSの場合、画像データの強弱によって＋か−のどちらかがOFFになる分、片電源で２倍の電圧の電源が常にONになるより消費電力が節約できることが高画素化にとって有利になったという話のはずです。

ちなみにパナが採用したＮチャンネルよりＰチャンネルの方が物理・理論的ノイズが低いのですが、増幅率が低いのであきらめたんでしょうね。

現時点の技術ではCMOSの方が有利ですし、勝負はついている気がします。

結論： LiveMOSはパナのνMAICOVICONとオリンパスの特許のナゴリでしかないですね。

書込番号：26203386

[YoungWay]

＞しま89さん

元の記事はインタビュアーはG97(日本ですとG99M2)について聞いていて、それについて答えているので、「新しいセンサーの開発は位相差等これからのセンサーに対してですよね。」というのはあたらないですね。

書込番号：26203394

[YoungWay]

本題のOM機のセンサーについてですけれど、OM-5はもろんですが、E-M10 mark IVもE-P7も4K30pでクロップされないのでIMX269ではないと思います。

あとは雑談ですが、

「裏面照射型 Live MOSって何？」

これはまさにGH5sのセンサーがそうですね。
GH5sのセンサーはIMX299であることは分かっていて、Technologyの欄に「BI」とあるので裏面照射型です。
もちろん、Live MOSは表記だけで、実態はExmore Rそのものだと思いますが…

書込番号：26203406

[しま89]

＞ほoちさん
ご自身の貼ったリンクのFig.15 がLive MOSセンサーの原理で撮像メーカー各社がCCDからの脱却で差別化してた名残りだから別物だと思いますが、その後は書かれているように技術の進化で現在の表面照射型CMOSでも十分に受光面積を確保しているからLive MOSセンサーを採用するメリットがないのでしょう
回路共有については裏面照射型の方に効いてると思いますが、オリンパスが使ってる積層センサーの配線層の回路がLive MOSの回路のままだからLive MOSの名称を使ってる、だからOM-5 Mark II にも実装が可能でセンサーもLive MOSということで、パナソニックが使えない理由の一つとか

書込番号：26203410

[YoungWay]

＞ほoちさん

気ままに検索していたところ、νMAICOVICONの画素部の構成図が載っているpdfを見つけました。
これはデジタルスチルカメラではなくてデジタルハイビジョンムービー(しかも3板式)の記事ですが、なかなか興味深いものがあります。

参考: https://tech.panasonic.com/jp/phd/pdf/technology-journal/v5501/0204.pdf

VDDを除き、線は3本に見えますが、果たして…?

書込番号：26203566

[ほoち]

＞YoungWayさん

これまた貴重な資料ですね

本文中に3トランジスタと書かれていますが
画素構成の図の出力の先にもう一つ行選択のトランジスタがあるはずで一般的には4トランジスタの構成と呼ばれてるものです

半導体配線には全く詳しくはないのですが
出力信号は縦に走るはずなので別層として、横に走るのはこの図で言うところの、行読み出し、行リセット、そして行選択の3本(TX, RST, SEL)なのではと思います

回路も画素構成も この時代のごく一般的なものに見えますね

書込番号：26203614　スマートフォンサイトからの書き込み

[しま89]

＞Technologyの欄に「BI」とあるので裏面照射型です
メーカーの仕様欄を信用されない方みたいですね

書込番号：26203647　スマートフォンサイトからの書き込み

[YoungWay]

＞ほoちさん
> 本文中に3トランジスタと書かれていますが
> 画素構成の図の出力の先にもう一つ行選択のトランジスタがあるはずで一般的には4トランジスタの構成と呼ばれてるものです

これは確かにそうですね。
3トランジスタ方式は読み出しトランジスタがなくて、PDの出力がそのままSFのゲートにつながっていますが、この図だと間に読み出しトランジスタがあるので、一般的には4トランジスタ方式と呼ばれる構成だと思います。

＞しま89さん
> メーカーの仕様欄を信用されない方みたいですね

信用していないわけではなくて、センサーの種別・構成まで詳しく書いてはいない(ないしは省略している)ということですね。
逆に表面照射型とも書いていないわけです。
とくにパナソニックのカメラの仕様の撮像素子の部分に Live MOSと書いてある場合は文字通りではないと思っています。

書込番号：26203925

[ほoち]

＞YoungWayさん
＞これは確かにそうですね

調べれば調べるほど、普通のCMOSなんですよね

書込番号：26204338　スマートフォンサイトからの書き込み

[ほoち]

＞しま89さん

呼称についてはこんな流れかと

1. 過去には、オリもパナも製造元や技術関係なく LiveMOSと呼んでいた

2 . パナは裏面照射にした時も LiveMOS と呼んだ、裏面であることをアピールしなかった

3. OM になって積層を採用したときに、裏面照射積層LiveMOS と言い出した

4. パナは、LiveMOSと呼ぶのをやめてCMOSに統一した、と同時に裏面照射であることを表明することにした、画素数の有効桁もちょいと変えた

G9M2→GH7
G99D→G99M2
はたまたまそのタイミングにあたった同じセンサー
ただそのことをwebの片隅にでも掲載すれば良いのにそうしてないのは、逆に消費者のことを信頼してないんかなと感じますねー

書込番号：26204343　スマートフォンサイトからの書き込み

[ミスター・スコップ]

このスレが建った頃、疑問を感じ、小一時間、ザックリ調べてみました。以下はその纏めで、謂わば、自分の為の備忘録です。ご参考まで。

【結論】
・「Live MOS」は、オリンパス/OMDSの商標に過ぎず、必須な要素技術はない。
・「Live MOS」は、E-330(2006年)から使用。
・E-330に搭載されたパナソニック製イメージセンサーは、CMOSでなくNMOS。
・「Live MOS」商標登録者のオリンパス/OMDSの搭載イメージセンサーは、E-M5(2012年)へのソニー製イメージセンサー採用以降、多様化(CMOS、BSI CMOS、stacked BSI CMOS)。
・GH7(2024年)以降のパナソニックm4/3機では、イメージセンサー名称として、「Live MOS」でなく「CMOS」を使用。


【詳細】
「Live MOS」に関する分かり易い説明は、以下だと思われます。
「The Live MOS sensor is a trademark of Olympus Imaging Corp, and later OM Digital Solutions Corp, for an image sensor used by Panasonic, Olympus, and Leica in their Four Thirds System DSLR manufactured since 2006. (Olympus E-330, Panasonic Lumix DMC-L1 and Leica Digilux 3).
『It originally referred specifically to an NMOS sensor but was later used to refer to CMOS, BSI CMOS, and stacked BSI CMOS sensors so appears to generally reference active pixel sensors.』
Due to low energy consumption, it became possible to add the live preview function to all the Four Thirds System cameras since 2006 (except the Olympus E-400, E-410, and E-500).
Also, In order to reduce the image noise problem found in the first generation of Four Thirds DSLR cameras, (Olympus E-1, E-300, E-400 and E-500) which used FFT CCD sensors (due to smaller sensor size compared to the APS-C size), the Live MOS chip includes a noise-reduction technology.
The Live MOS name has also been used to refer to the sensors in Panasonic, Olympus, and OM System Micro Four Thirds System cameras.」
・Live MOS　(Wikipedia英語版)
https://en.wikipedia.org/wiki/Live_MOS

「Live MOS」が最初に搭載されたE-330の最大の特徴は、レンズ交換式デジタル一眼レフとして初めて、(チルト式)液晶モニターによるライブビュー撮影を実現した事です。以下では、ライブビューを含め、技術的な深掘りがなされており、E-330の「Live MOS」は、NMOSだと明記されています。なお、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)は、半導体デバイスの名称ではなく、飽くまでPMOS(P-type Metal Oxide Semiconductor)とNMOS(N-type Metal Oxide Semiconductor)を組み合わせた回路構造を指します。
「The Live MOS Sensor takes advantage of the simplified circuit requirements and thinner layer structure of NMOS type sensors to offer a larger photosensitive surface area. In addition, circuit technology refinements were made to boost light utilisation efficiency and improve image quality.
A new transfer mechanism for photodiode signal readout enabled us to reduce the number of circuit paths to two, the same as in a CCD sensor, and thereby minimise the surface area that is unresponsive to light. By effectively enlarging the photosensitive surface area and enabling it to capture light that was previously lost, we were able to achieve both high sensitivity and superior image quality. We also developed a new low-noise photodiode signal amplification circuit to further improve sensitivity.」
・E-330のレビュー　(Phil Askeyさん、DPReview、2006/03/18)
https://www.dpreview.com/reviews/olympuse330

オリンパスは、CMOSのソニー製イメージセンサーに対しても、商標「Live MOS」を使用。
「オリンパス株式会社の笹宏行代表取締役社長執行役員は2日、顕微鏡新製品の発表会において、「OLYMPUS OM-D E-M5の撮像素子はソニー製(注：IMX159)」とコメントした。　‥‥‥　OM-D E-M5のセンサーは、オリンパスが「新開発のLive MOSセンサー」と呼ぶ4/3型の有効1,605万画素タイプ。」
・「OM-D E-M5のセンサーはソニー製」とオリンパス笹社長が発言　(デジカメWatch、2012/07/03)
https://dc.watch.impress.co.jp/docs/news/544400.html

「Live MOS」は、「登録商標：第4980294号、OMDSへの移転登録済通知書：2021/05/07」となっており、商標「Live MOS」の使用許諾は、現在、OMDSの裁量に委ねられています。GH7(発売：2024/07/26)、G99ii(発売：2025/02/20)では、イメージセンサー名称として、「Live MOS」でなく「CMOS」を使用。
「OMデジタル(ソリューションズ)が、OMやPENそしてZUIKOなどカメラ関連の商標を更新登録しました。J-PlatPatのデータベースで確認可能で、OMデジタルで検索し商標タブをクリックすれば一覧を確認できます。
「OM-D」「PEN / PEN-F」「瑞光 / ZUIKO」「STYLUS」などの商標だけでなく、フォトパスでお馴染みだった「ネプタン」などのキャラクターをはじめ、「(マイクロ)フォーサーズ」「LIVE MOS」「TruePic」「SSWF」や「アートフィルター」などの名称も含みます。オリンパスの方は商標更新していないので、これで商標権がOMデジタルに移行した模様。加えて音声関連の商標も含まれています。」
・OMデジタルが、OM-DやPENそしてZUIKOなどの商標を更新登録　(Digital Camera Life、2021/04/19)
https://dclife.jp/camera_news/article/om/2021/0419_01.html
・J-PlatPat(特許情報プラットフォーム)
https://www.j-platpat.inpit.go.jp

書込番号：26204441

[ミスター・スコップ]

【仮説】
「Live MOS」と名付けられた理由は、「NMOSセンサー」が世間はおろかパナソニックでさえ使用していなかった事に加え、E-330のライブビューのインパクトを重視したからなのでは？と思っています。撮像用イメージセンサーによるライブビューは、ミラーレスに直結しますから、パナソニックの思惑とも合致します。

昔から、パナソニックは最初からm4/3を製品化したくて、4/3に賛同した確信犯だと思っていました。パナソニックの4/3機は、L1がE-330ベース、L10がE-510ベースなので、パナソニックはあまり経費を掛けていないと思います。これも確信犯だったからに思えます‥。
「――なるほど、フォーサーズのカメラを開発して、一眼レフカメラの仕組みを学びながら、一方では「このミラー邪魔だなぁ」と漠然と思ってらっしゃったのですね。
山根：漠然とではなく、かなり……（笑）。
中島：デカイし、重たいと（笑）。
――それはフォーサーズのカメラの開発当初からでしょうか?
中島：われわれが最後発でデジタル一眼レフカメラの世界に入っていくにあたり、カメラを小さく軽くしたかった。ですが、ミラーを含めたミラーボックスやバッテリーを考えると、どうしても他社機と同等サイズにしかならない。ネックはなにかというと、ミラーを必要とするミラーボックスが大きな体積を取っていたわけです。これをどうにかなくさないことには、小さく、軽くならないと考えました。」
・パナソニックDMC-GH2が実現した「0.1秒AF」の秘密　(デジカメWatch、2010/12/24)
http://dc.watch.impress.co.jp/docs/news/interview/416051.html

E-330には、ライブビュー用のイメージセンサーとして、AF不可な撮像用イメージセンサー(NMOS)だけでなく、OVF系に設置された、AF可能なイメージセンサー(CCD)があります。一方、兄弟機のDMC-L1とDigilux 3には、後者のイメージセンサーは搭載されていませんが、ミラーアップによりAF等を可能としており、ミラーレスへの布石と思われます。
「The Panasonic Lumix DMC-L1 and the Leica Digilux 3 are both built using the same basic inner mechanism from the Olympus E-330, and thus also share the live preview function. Unlike the E-330 however, neither the L1 or Digilux 3 incorporated the second sensor in the viewfinder chamber and could only produce the liveview output from the main sensor. They still suffered from the same darker viewfinder as they shared the same mirror to divert 20% of the light for the non-existent secondary sensor. However, they were able to use AF on the main sensor by briefly dropping the mirror from their launch, and offered live histogram, live white balance preview and live metering during main sensor Live Preview, which the E-330 did not. 」
・E-330　(Wikipedia英語版)
https://en.wikipedia.org/wiki/Olympus_E-330


【参考文献】
ソニーセミコンダクタソリューションズ・第1研究部門部門長(2024/12現在)の大池祐輔さんによる、イメージセンサーの全般的な解説記事をご紹介しておきます。

・CMOSイメージセンサの技術動向 - CCDへの再挑戦　(大池祐輔さん/博士課程3年、東京大学大学院輪講資料、2004/06/25)
[URLが、httpsでなくhttpのままなので、ご注意下さい]
http://www.mos.t.u-tokyo.ac.jp/~y-oike/Papers/rinko_d3.pdf

・CMOSイメージセンサの現状と将来展望　(大池祐輔さん、応用物理学会誌、2020)
https://www.jstage.jst.go.jp/article/oubutsu/89/2/89_68/_pdf


【自己紹介】
「私は、超ヘタッピですが、静止画も動画も撮るのが楽しくて仕方ありません。その一方、「カメラ業界を眺める」のも趣味の一つで、キヤノン関連の知識/考察もこちらに属しています。と言う訳で？、使用機材は、キヤノンでなく、ずっと前からm4/3です。
機材の殆どは、(キットばらし等を含む)新品で購入していますが、安物ばかりです。ボディを「G5×5台、GM5×1台、E-M10ii×3台、E-M10iii×1台」の計10台、レンズを30本以上所有しています。
現在所有しているボディでも、静止画なら(撮って出し専門と言う事もあり)特に不満はないのですが、動画だとダイナミックレンジが狭く、不満を抱かざるを得ません。次に購入するとしたら、キヤノン(の特にフルサイズ)が有力な候補ではあるものの、動画撮影時の荷物の重さを考えると、OM Systemのボディ(OM-5iiにOM-3の動画仕様が載るのが理想)はやはり捨て難く、ずっと悩みそうです。」
・2025/05/17の書き込み
https://bbs.kakaku.com/bbs/K0000089556/SortID=26179122/#26181241

書込番号：26204443

[しま89]

結構メーカーの仕様表の記載内容信用しない方が多いんですね
Live MOSセンサーはCMOSセンサーと変わらないというか、ベースは私も同じと思っているのですが。
ほoちさんが出された文献が本題なのかと少し思ってます、正解は守秘義務があるから中の人は回答してくれないので推測となりますが、商標、言い方の違いではなくCMOSセンサーの回路の違いから、使い分けしてるだと思います。GH6、G9M2が表面照射型新型26MセンサーでLive MOSの回路で制作しているからLive MOSセンサー、GH7は裏面照射型に変えたからLive MOSの作りにする必要性がないので他社と同じCMOSセンサー、D-LUX8とG99M2はLive MOSの回路にするとソニーとの関係があるから従来のCMOSセンサーにした、がパナソニックのソニー製でないと思われる新型センサーの流れかと
本題のOM−1の裏面照射型 Live MOSですが、OM−5の新型がこのセンサーを搭載して出してきたら、多分 Live MOSセンサーで正解かな。
このセンサーのクワッド1阻止の読み込みは高速ですが、CPUに伝送する読み込み速度はE -M1mk2と変わらないと言われてますし、5.6kに対応してないオリンパスの20M4kセンサーの作りになっていてE-M1mk2センサーの上位互換の仕様になってます。そのため裏面照射型でも従来の Live MOSの回路にしているから裏面照射型 Live MOSなんでしょうね

＞YoungWayさん
オリンパスのエンジンの作りが優秀で16Mセンサーでも4kダウンコンバートで4k出力しているのでフルフレームになります、パナソニックの4kはピクセルバイピクセル方式のためセンサーの種類でクロップが出ます

書込番号：26204622

[しま89]

そうでは無いと言う方もいると思いますのでChatGPTで調べてみました
Live MOSとCMOSの違いは

「Live MOS」と「CMOS」は、どちらもデジタルカメラやビデオカメラに使われるイメージセンサーの技術ですが、以下のような違いがあります。

CMOSとは？
CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）センサーは、現在ほとんどのデジタルカメラやスマホに採用されている、広く使われているセンサー方式です。
特徴：
低消費電力
読み出し速度が速い
小型・軽量にしやすい
製造コストが比較的低い
Live MOSとは？
Live MOS（ライブモス）センサーは、CMOSセンサーの一種ですが、**パナソニックやオリンパス（現在はOMデジタルソリューションズ）**などが開発した特別なタイプのCMOSセンサーです。
特徴：
CMOSの利点（低消費電力・高速読み出し）を活かしつつ、CCDセンサー並の高画質・高感度を目指して開発された
主に**マイクロフォーサーズ（MFT）**のミラーレスカメラに搭載
違いのまとめ：
比較項目CMOSセンサー
基本技術CMOS方式
主な開発メーカーソニー、キヤノンなど
主な用途スマホ、デジカメ全般
特徴低コスト、速い読み出し速度
基本技術CMOS方式（改良型）
主な開発メーカーパナソニック、オリンパス
主な用途ミラーレス（特にマイクロフォーサーズ）
特徴　画質重視、CCDに近い描写力
技術的に言うと…
Live MOSは、「従来のCMOSでは難しかった階調やノイズ耐性を改善し、CCDに近づけたCMOS」という位置付けです。
どちらが優れているのか？
画質を重視するなら：Live MOS（特にマイクロフォーサーズ機での描写力）
汎用性・コストパフォーマンス重視なら：CMOS（現代の主流）

増幅回路の違いは、CMOSセンサーとLive MOSセンサーが画質やノイズ性能においてどう差をつけているかの核心部分です。ここでは、技術的に深く踏み込んで、増幅回路（アンプ）の構造と処理の違いにフォーカスして説明します。
増幅回路の違い（CMOS vs Live MOS）
前提：ピクセルの基本構造
どちらのセンサーも「APS（アクティブ・ピクセル・センサー）」と呼ばれる方式を用いており、各画素にフォトダイオード（光検出素子）とトランジスタが搭載されています。
-一般的なCMOSセンサーの増幅回路
各画素に**ソースフォロワ型のアンプ（バッファ）**が内蔵されており、光電流を電圧に変換します。
増幅回路は簡素で、高スピード優先・省電力設計。
ノイズ（特にリセットノイズや固定パターンノイズ）が出やすい。
一部のCMOSでは、画素ごとに**CDS（相関二重サンプリング）**機構を持つ。
2. Live MOSセンサーの増幅回路（改良型CMOS）
Live MOSはCMOSセンサーをベースにしつつ、次のようなアナログ増幅段の改良を加えています：
特徴的な違い
Live MOSセンサー
増幅器構成　多段アンプ構成（例：2段構成 or 電流ミラー付き）
増幅位置列ごと/画素外で高精度増幅
ノイズ処理　高性能なCDS＋低ノイズアナログ処理
利得可変アナログ段で可変ゲイン制御
効果：
CCDセンサーに近い高S/N比と低ノイズ性能を実現。
低照度下でも暗部がつぶれにくい。
デジタル処理に依存せず、センサー段階で高画質化。
回路構成のイメージ（概略）
■ CMOSセンサー（一般的）：
[ Photodiode ]
↓
[ Source Follower ]
↓
[ 行/列 選択スイッチ ]
↓
[ 読み出し回路 ]
■ Live MOSセンサー（概略）
[ Photodiode ]
↓
[ 高精度アンプ（2段/ミラー） ]
↓
[ 高性能 CDS（相関二重サンプリング） ]
↓
[ 読み出し回路 ]
※一部は画素内、一部は列単位や画素外で構成されている場合もあります。
まとめ：増幅回路の違いで何が変わるのか？
項目　Live MOS
ノイズ性能センサー段階で低ノイズ設計
ダイナミックレンジ　高い（アナログ段での最適化）
回路の複雑さやや複雑（画質重視、処理追加あり）

さてこのように出てきましたが、名前だけの違いですか

書込番号：26204761　スマートフォンサイトからの書き込み

[ほoち]

まだまだAI より価格コムの住人のほうが賢いようだ^^

書込番号：26204811　スマートフォンサイトからの書き込み

[mosyupa]

オリンパスが持っていたLiveMOSの商標権に技術要綱は特になく、オリンパスが呼称すればCMOSだろうとそれはLiveMOSと言える。
オリンパスとしては、自社が採用したライブビュー撮影に向いたMOSセンサー全般をLiveMOSと呼んでいる。
使用センサーメーカーという社外秘であろうデリケートな事項をE-M5の頃の社長が超優秀なCMOSセンサーメーカーであるSONY製だとポロリしちゃった後海外掲示板でもその話題が盛り上がって、雑誌のメーカーインタビューでも取り上げられて、その回答が上記だったような覚えがあります。

パナソニックがその呼称を使わなくなったとしたら、LiveMOSという呼称を使うメリット対商標使用更新手続きや費用のバランスからの判断では無いでしょうか。ＣＭＯＳの登場当時のようなノイズが多めとかのマイナスイメージはとっくに払拭されていますから。

書込番号：26204836

[Seagulls]

オリパナに限らずメーカーなんて都合の良い時は宣伝して都合の悪い話は表に出さないので
まあ言ってみれば「テキトー」とも言えるし「客を舐めてる」とも言えますね。
なのでOM-1のクワッドピクセルや、Z6IIIの部分積層のようにメーカーが詳細を出してくる時以外は
客観的証拠（商品展開・価格構成・読出しスピード・画素数等）から類推する他ないですね。

当初のＧ９９については、パナがＧ９９ＭＫ２の為だけにセンサーを開発・実装検討・調達して
この物価高の世の中で６年前の初代Ｇ９９より安価な価格設定なんてどう考えてもできる訳ありません。
G９やＧＸ７ＭＫ３からのセンサー＋エンジンの組み合わせを未だに使用しているからこそです。
中身が初代G９９と全く同じだからＧ９９ＭＫ２の公式HP掲載の作例は初代G９９の画像が使われているのです。
（公式HPの作例問題はあれだけ問題になったので、そこは信用して良いでしょう）

スレタイにあるLiveMOSなんて名称はそれこそ「それっぽい商標」ってことだと思います。

書込番号：26204952

[YoungWay]

＞ほoちさん

νMicoviconやLive MOSで検索をすると、まずはこういった記事が出てくると思います。

参考: https://www.itmedia.co.jp/lifestyle/articles/0808/14/news033.html

これだけを読んだなら、しま89さんのような理解をする方のほうがふつうだと思います。

> 調べれば調べるほど、普通のCMOSなんですよね

以前の書き込みでURLを載せたパナソニックのテクニカルジャーナルの記事は、まさにこのitmediaの記事の「6月に発表されたパナソニックのデジタルビデオカメラ「HDC-SD100」「HDC-HS100」」について書いてあるのですが、一部を抜粋しますと

・新開発のνMicoviconは、
- 光電変換部分にCCD(Charge Coupled Devices)技術、
- 周辺回路にはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)技術を用い、
- 第1図に示すように埋め込みフォトダイオードの表面にP層を形成することにより暗電流発生を抑圧し、
-> CCDに匹敵する高画質化を実現した。

つまり、まず大前提としてνMicoviconはCMOSプロセスによるイメージセンサーだということが書いてあります。
つぎに、埋め込みフォトダイオードの表面にP層を形成して暗電流を抑圧したと書いてあるので、これはピン留めフォトダイオードを構成していると読めます。
これをもって光電変換部分にCCD技術を用いたと書いてあるのですが、これを現在の時点で読むと意味不明になってしまいます。
それについては、νMicoviconの開発時点ではピン留めフォトダイオードはCCDイメージセンサーにしか使われておらず、CMOSイメージセンサーへの導入はνMicoviconが先駆者なのは確かですから、こういった記述になったものと思われます。
また、CMOSイメージセンサーも画素アレイのFETはnチャンネルMOSしか使われていませんから、この部分だけをみるとNMOSもCMOSも区別はつきません。

以上を踏まえると「「MOS」――CCDでもCMOSでもない、もう1つの撮像素子」という記事タイトルは技術的には不正確ですから、マーケティング用語に過ぎないと言えます。
また、MOSはNMOSもPMOSもCMOSも含む広い意味の用語ですから、CMOSプロセスを使用したイメージセンサーをMOSイメージセンサーと言ってしまっても、必ずしも虚偽ではありません。

つまり、νMicoviconは最初からCMOSイメージセンサーの一種であり、ピン留めフォトダイオードは現在のCMOSイメージセンサーには広く採用されているので、ほoちさんが普通のCMOSイメージセンサーだと思われるのは無理もないと思います。

書込番号：26204954

[ほoち]

＞YoungWayさん

ありがとうございます、私の理解も全く同じです


νMICOVICONが登場した2004年は、CMOSの出荷量がCCDのそれを上回った年らしいです
旧世代のCMOSですね。なので、開口面積の少ない画質の悪いけども安いCMOSというのが認知されてる時代ですね

その時点では、それと比較しての優位点をアピールしたり、CCDでもCMOSでもない第三センサーと言ってしまうのも、アリだったと思います(実際に標準CMOS プロセスでは製造できなくなった構造ですし)

松下は、それをCMOSではないと言っているわけで、CMOSといえば旧CMOSのことなんです。(ほぼ同時期だけど)後からでてきた他社が新世代のMOSをそのままCMOSと呼び続けるなんて気にしてなかったのだと思います

ミスマッチが起こったのは、あの比較表を熱心に読んだのが
少し時代後進んでCMOSといえば新世代のCMOSを当然のように思い浮かべるカメラユーザーだったということでしょう

書込番号：26205377　スマートフォンサイトからの書き込み

[ほoち]

＞ミスター・スコップさん

様々詳しい情報嬉しいです
ほぼ全部納得感のある情報と結論ですね

一点だけ
私が技術的な興味としてもっと納得できる情報が必要だなとおもってるのはここですね

＞・E-330に搭載されたパナソニック製イメージセンサーは、CMOSでなくNMOS。


a）NMOSと呼べるだけの特徴があり優位点があった
b）NMOSとよべる構造があったが特長にもなってなかった
c）これも呼称だけの違いだった

どれだろ。

NMOSだとしてる情報源てどこでしょ ちょっと探ってみたい

書込番号：26205477　スマートフォンサイトからの書き込み

[しま89]

さすがに学術研究用で製品になってないνMicoviconは反則でしょう、ここまで戻ったらCCDとの違いになってしまいますよ。
表面照射型を記載してないて言いますがCMOSの基本なので書かないのが標準でこの製品との違いで裏面照射型になるです、メーカーはセンサーの種類はきちんと明記していますので、本当にメーカーの仕様書を信じない方が多く、頑なにCMOSと同じ物と言ってる方が多いのはよくわかりました。
パナソニックとOMDSがライセンス関係で契約が上手くいってないのはどうも事実みたいで、E -M1mk2、GH5ベースのIMX272は両者で上手く開発できたのが、IMX472 がOMDSよりに開発されてしまったのもこの辺が絡んでいるみたいで、ソニーに見切りを付けたパナソニックはM 4/3センサーはOMDSとは別に自社開発、自社発注に切り替えるしかないので、G99M2は光学ローパスレス＋CMOSセンサーで新規設計になってます。
https://one-scene.com/products/6086?srsltid=AfmBOorQOuSvV0gzKh2MUsHtdZX-XBS_zpiQ_RWR2VpX-gp87fQY6kqS&utm_source=chatgpt.com
自分もLive MOSはCMOSセンサーだとは思ってますが、商標だけ名前だけ違うは無いと思います、こだわるつもりはありませんが、作りが違うからLiveMOSとメーカーはいっているのですから、そこは理解してもらいたいところですね。今の時代は名前を偽ってまで製品は出せませんので。
あとソニーは本当にフルサイズ以外のセンサーを作って無いみたいです、パナソニック以上にニコン、フジはセンサーに困ってる、もしくはセンサーの共通化でコストダウンに走ってるのか、フルサイズ以外の新型センサーは全く出てない状態ですね
https://www.sony-semicon.com/ja/products/is/camera/index.html

書込番号：26205635

[しま89]

＞まだまだAI より価格コムの住人のほうが賢い
ではなくAI より価格コムの住人のほうが頭が硬いかと、ChatGPTで皆さんが書かれいる内容全てでてきます
おかげで勉強させていただいてます。

書込番号：26205637

[YoungWay]

おはようございます

＞ほoちさん

> ＞・E-330に搭載されたパナソニック製イメージセンサーは、CMOSでなくNMOS。
>
> a）NMOSと呼べるだけの特徴があり優位点があった
> b）NMOSとよべる構造があったが特長にもなってなかった
> c）これも呼称だけの違いだった

どれでもなくて、誤報が広まってしまい誰も訂正しないので定着してしまった例かと思います…

> NMOSだとしてる情報源てどこでしょ ちょっと探ってみたい

これは、かなり頑張ったのですが、Panasonicはもちろん、そんなことを言わないでしょうし、あやしいのはOLYMPUSだと思ったのですが、OLYMPUSの一次情報では Live MOSとだけ書いてあってNMOSという記述は見つけられませんでした。

ここからは推測です。

E-330 NMOSで検索をして出てくるサイトのうちカメラジャーナリズムのような、比較的信頼性があると思われるサイトいくつかの記事を見てみました

デジカメWatch: https://dc.watch.impress.co.jp/cda/review/2006/02/21/3248.html
DPREVIEW: https://www.dpreview.com/reviews/olympuse330
Imaging Resource: https://www.imaging-resource.com/PRODS/E330/E330A.HTM
CNET: https://www.cnet.com/reviews/olympus-evolt-e-330-review/

これらの記事は、OLYMPUSから直接情報の提供を受けて書いていると思うので、OLYMPUSが媒体にNMOSと伝えてしまったのではないでしょうか。
いずれも発売日近くのカメラジャーナリズムの記事ですから、個人webサイトや噂情報を信じてそのまま載せるということは考えにくく、リニア(ライン)センサーならばともかく、NMOSでエリアセンサーを造っても何もメリットはなく、消費電力の点からも非常識なのはあきらかですから、CCDでもCMOSでもないMOSと言われてNMOSという情報を捏造してしまう人も中にはいるかもしれませんが、4サイトとも同じ誤りをするとも思えないので、やはりNMOSという情報の出どころはOLYMPUSが一番あやしいと思っています。

そして、デジカメWatchの記事には、

> 当初筆者はLiveMOSセンサーがCMOSなのかと思っていた。CMOSの場合は原理的にCCDよりノイズが多い。そのため、搭載機種は自動的に(内部で)ノイズフィルターがONなっているという。ところがE-330にはON/OFF選択があるのが疑問だった。
>　実はLiveMOSセンサーはCMOSではなくNMOSなのだそうで、画素あたりの受光面積がCMOSの3倍あり、CMOSより低ノイズであることからOFF設定も採用したそうだ。

と書いてあって、NMOSだとは断言していないので、今読むとライターの方も半信半疑だったのではないかという印象を受けますね(^^;

書込番号：26205760

[しま89]

たぶん皆さんが書いてある内容でCMOSの違うもと十分に書かれたと思いますが、本題の裏面照射型 Live MOSに付いてはどう思われますか。
不適切な名称で大騒ぎする今の時代ですので名前が違うだけとか、商標がの回答はいりません。違う物としてみた場合で裏面照射型CMOSとしないでLive MOSとしている理由、メリットはありますかね、裏面照射型に変えた時点でLive MOSの優位性は無くなったと思うのですが

書込番号：26205771

[ほoち]

＞YoungWayさん

＞どれでもなくて、誤報が広まってしまい誰も訂正しないので定着してしまった例かと思います…

なるほど。そもそも公式としては言ってなかった可能性もありますね
インタビューのような形ではオリンパスの中の人がNMOSという単語を使ってた記憶はありますけども

半導体プロセスに言及した資料がほとんど無いのですけど
こちらのサイトで
「松下テクニカルジャーナル vol.52 No.1 feb.2006」から引用したと思われる図を見つけました
従来のCMOSがp基板なのに対して、n基板として書かれてます
埋め込みPDの説明のための図なのでここはどっちでも良いにも関わらず
ちょっと何かあるのかなと

書込番号：26206323　スマートフォンサイトからの書き込み

[ほoち]

＞しま89さん

裏面照射にしたら、配線層を工夫して開口面積を広げるという技術は無駄じゃないだろうか
という問いでしょうか？

書込番号：26206345　スマートフォンサイトからの書き込み

[ほoち]

こちらのサイト
https://www.calvadoshof.com/Digicame/E330.html

書込番号：26206387　スマートフォンサイトからの書き込み

[しま89]

＞ほoちさん
パナは裏面照射のセンサーはLiveMOS とアナウンスしてませんよ、G9M2は噂はでましが表面照射のままで、GH7がLUMIX初の裏面照射型COMSセンサーです。
YoungWayさんが書かれている、GH7(発売：2024/07/26)、G99ii(発売：2025/02/20)では、イメージセンサー名称として「Live MOS」でなく「CMOS」を使用。ですが、この2機種はCMOSセンサーで出してます、G99iiはOMDSよりソニーとの関係でLive MOSで作れないだけです、IMX269のLiveMOSセンサーを完コピしたらソニーから訴えられるので従来のLive MOSから刷新したCMOSセンサーを制作してます
2021以降は使えないなら、SSWFを搭載してない2022年発売のG99D、2024年発売のG100Dの20MセンサーもLive MOSと名乗れないのでは
私はLiveMOSはCMOSでは無いとは言ってませんし、名前だけとも思ってません、CMOSの増幅回路が違うからLiveMOSだと認識してます。

諸説出ましたが、CMOSセンサーよりフォトダイオード部分が大きくできるLiveMOSは表面照射での受光面積の優位性で採用されてましたが、配線がない受光面積の制約がない裏面照射でも名乗っているOMDSの意義は何ですkです

書込番号：26206546

[YoungWay]

＞しま89さん
> 裏面照射型CMOSとしないでLive MOSとしている理由、メリットはありますかね、裏面照射型に変えた時点でLive MOSの優位性は無くなったと思うのですが

についてですが、

> 名前が違うだけとか、商標がの回答はいりません。

とのことですし、繰り返しになるだけなのでもうこれについては書きませんね。

＞ほoちさん
> 従来のCMOSがp基板なのに対して、n基板として書かれてます

私の理解ではCMOSロジック半導体は、nサブストレートなのがふつうだと思うので、「従来のCMOSイメージセンサ」なるものの方が変に見えますね(^^;

書込番号：26206784

[しま89]

＞YoungWayさん
ほoちさんのはったリンク先見て、名前が違うだけとか、商標がの回答になります?
https://www.calvadoshof.com/Digicame/E330.html

書込番号：26206911　スマートフォンサイトからの書き込み

[ほoち]

＞しま89さん
＞ G9M2は噂はでましが表面照射のままで、GH7がLUMIX初の裏面照射型COMSセンサーです。

名称には触れないようにします が ここまでピッタリ性能が一致するのは 同じセンサーであるとしか考えられないんですよね

説明ができるとしたら
PhotonsPhotosがカメラを取り違えてうっかり同じカメラを2度測定してしまった、などを疑わなくちゃいけなくなります

https://www.photonstophotos.net/Charts/PDR.htm#Panasonic%20Lumix%20DC-G9M2,Panasonic%20Lumix%20DC-GH7

https://www.photonstophotos.net/Charts/RN_ADU.htm#Panasonic%20Lumix%20DC-G9M2_16,Panasonic%20Lumix%20DC-GH7_16

書込番号：26206971　スマートフォンサイトからの書き込み

[ほoち]

＞しま89さん
＞ほoちさんのはったリンク先見て、名前が違うだけとか

いやこちらは YoungWayさん へメンションつけた私のコメントで、URL貼り忘れたので追加でした
不自然なp基板 n基板の図はなんだろね、という情報共有です

書込番号：26206975　スマートフォンサイトからの書き込み

[ほoち]

＞YoungWayさん
＞ 私の理解ではCMOSロジック半導体は、nサブストレートなのがふつうだと思うので、
＞「従来のCMOSイメージセンサ」なるものの方が変に見えますね(^^;

なるほど、そうですねp基板にp-wellですし
CCDや或いは過渡期にそういったもんがあったのか、、無かったのか。ただの不正確な図の可能性が大きいですかね

書込番号：26206982　スマートフォンサイトからの書き込み

[hunayan]

G9mk2とGH7は同じセンサーですよ。
youtuberが電話で聞いたら2日待たされて結局同じセンサーですと
パナソニックが回答したそうです。
ですので残念ながらソニーセンサーです。
パナソニックはソニーセミコンのお得意様になったので部分積層センサーも供給されました。
高画素積層型も要求すれば見積もりが出るでしょう。
お客様は神様です。

書込番号：26207094　スマートフォンサイトからの書き込み

[ミスター・スコップ]

ほoちさん

レスが遅くなり、申し訳ありません。多少なりともお役に立てたようで良かったです。

【結論 ver.2】
・「Live MOS」は、オリンパス/OMDSの商標に過ぎず、必須な要素技術はない。
・「Live MOS」は、E-330(2006年)から使用。
△E-330に搭載されたパナソニック製イメージセンサーは、CMOSでなくNMOS。
・「Live MOS」商標登録者のオリンパス/OMDSの搭載イメージセンサーは、E-M5(2012年)へのソニー製イメージセンサー採用以降、多様化(CMOS、BSI CMOS、stacked BSI CMOS)。
・GH7(2024年)以降のパナソニックm4/3機では、イメージセンサー名称として、「Live MOS」でなく「CMOS」を使用。

(注) 【結論 ver.1】から若干変更しましたが、ここでの「Live MOS 問題」そのものに対する結論には、影響しません。


【NMOSの出典】
[26204441]では、Wikipedia英語版とDPReview記事から引用しました。DPReview記事と同様、オリンパスのプレスリリースを掲載した別サイトがあったので、改めて紹介しておきます。

「● Live MOS Sensor technical information
○ Redesigned Sensor Elements with Greater Photosensitive Surface Area
The photosensitive area accounts for around 50% (according to Olympus test method) of sensor element surface (comparable to CCDs). The Live MOS Sensor takes advantage of the simplified circuit requirements and thinner layer structure of NMOS type sensors to offer a larger photosensitive surface area. In addition, circuit technology refinements were made to boost light utilisation efficiency and improve image quality.
A new transfer mechanism for photodiode signal readout enabled us to reduce the number of circuit paths to two, the same as in a CCD sensor, and thereby minimise the surface area that is unresponsive to light. By effectively enlarging the photosensitive surface area and enabling it to capture light that was previously lost, we were able to achieve both high sensitivity and superior image quality. We also developed a new low-noise photodiode signal amplification circuit to further improve sensitivity.」
(1) E-330のTechnical Press Release　(Digital Photography Now、2006/04/05)
https://www.dpnow.com/articles/2617.html

書込番号：26207110

[ミスター・スコップ]

【CMOSとMOSの違い】
私は全くの門外漢です。YoungWayさんやmosyupaさん達の方が、遥かに詳しくご存知だと思いますが、私なりの解釈を書きますね。

現在では、CMOSプロセスで製造されるイメージセンサーを「CMOSイメージセンサー」と呼ぶ事が一般的だと思います。

「CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)イメージセンサは，CMOS集積回路の製造工程を基にして，撮像のためのフォトダイオードなどを形成する工程を加えて構成するイメージセンサである．」
(2) 超高感度 CMOSイメージセンサの開発　(川人祥二さん/静岡大学電子工学研究所教授、応用物理学会誌、2016)
https://www.jstage.jst.go.jp/article/oubutsu/85/7/85_575/_pdf

一方、「半導体構造/回路構成」にフォーカスした時、MOSトランジスターは存在するもののCMOS構造が存在しない場合は、MOSイメージセンサーと呼ばれています。この立場と思われるのがパナソニックで、E-330のイメージセンサーはその実例に当たりそうです。この立場で考えると、(MOSイメージセンサーではなく、より具体的に)NMOSイメージセンサーと称しても問題ないと思われます。

MOSイメージセンサーとCMOSイメージセンサーとの境界に関してですが、以下の3つの文献から、「画素内部の読み出しアンプの実装」が、CMOS構造に繋がっている事が分かると思います。文献(3)の図1･5は、以下の構成で実現出来ます、多分！！

・N型Si基板
・PDの励起された電子 → NMOS(スイッチング動作用)のソース
・NMOS(スイッチング動作用)のドレイン → PMOS(増幅動作用)のゲート

「1993年に米国NASAのジェット推進研究所(JPL)の E. R. Fossumらにより現在のCMOS撮像デバイスの原型であるCMOS-APSが発表された．このデバイスは図1･5に示す画素構造を基本としており，フォトダイオード電位をソースフォロアアンプで読み出す3Tr構成である．」
(3) 撮像デバイス - 撮像デバイスの歴史　(安藤隆男さん/静岡大学電子工学研究所教授、電子情報通信学会・知識の森、2011)
https://www.ieice-hbkb.org/files/08/08gun_04hen_01-01.pdf

「3. CMOSセンサの原理
MOSセンサは，垂直信号線で大きな雑音が加わるのならば，その前に低付加雑音で信号を増幅すれば，以降の雑音の影響を増幅率の逆数倍に抑えられるという考え方が基本である．そのために，図1(b)に示すように，画素内で“信号電荷量”を画素アンプで増幅する．原型は1968年に提案されたが，日本ではNHKの安藤(隆男)たちによって孤軍奮闘的に開発が進められ，国際的にCMOSセンサの第一号とされている．」
(4) CMOS撮像デバイスの基礎　(黒田隆男さん/パナソニックセミコンダクター、映像情報メディア学会誌、2014)
https://www.jstage.jst.go.jp/article/itej/68/3/68_216/_pdf/-char/ja

「現在のCMOSイメージセンサとして実用化されているものは，Active Pixel Sensor(APS)と呼ばれる，画素内部に読み出しアンプを実装されたものである．CMOS APSは1993年に発表され，CMOSイメージセンサが産業的に成功するブレークスルーであった．Fig.3(b)に示すように，画素内部のアンプを介して読み出す方式は，「非破壊読み出し」と「高い読み出しゲイン」が大きな特徴といえる．」
(5) [再掲] CMOSイメージセンサの技術動向 - CCDへの再挑戦　(大池祐輔さん/博士課程3年→ソニーセミコンダクタソリューションズ、東京大学大学院輪講資料、2004/06/25)
[URLが、httpsでなくhttpのままなので、ご注意下さい]
http://www.mos.t.u-tokyo.ac.jp/~y-oike/Papers/rinko_d3.pdf

浜松ホトニクスは、CCD/CMOS/NMOSのイメージセンサーをラインナップしています。CMOSとNMOSの等価回路を見比べると、やはり、CMOS構造の有無がCMOSとNMOSの区分に繋がっているようです。

(6) CCD/CMOS/NMOSイメージセンサー　(浜松ホトニクス)
https://www.hamamatsu.com/jp/ja/product/optical-sensors/image-sensor/ccd-cmos-nmos-image-sensor.html


【νMicovicon】
νMicoviconに関する資料はここでも幾つか紹介されていますが、それらの技術とE-330のイメージセンサーに搭載された技術とが、同一である裏付けはないはずです。つまり、E-330のイメージセンサーは、CMOSイメージセンサーである可能性が高いものの、NMOSイメージセンサーではないと断じるには至りませんでした。

文献(5)のFig.16~21及びTable.1とこれらに関する記述は、文献[19][21]からの引用/解説で、νMicoviconと関連性が強いと考えられます。文献(5)のFig.16には、「画素内部の読み出しアンプの実装」があり、CMOS構造を見て取れます。更に、文献[19][21]のタイトル自体、「CMOSイメージセンサー」が使用されているので、パナソニックも学術的には、MOSイメージセンサーではなく、CMOSイメージセンサーだとの認識を抱いている事が分かります。

[19] M. Mori, M. Katsuno, S. Kasuga, T. Murata, and T. Yamaguchi, “A 1/4in 2M Pixel CMOS Image Sensor with 1.75Transistor/Pixel,” IEEE ISSCC Dig. of Tech. Papers, pp. 110–111, 2004.
[21] 春日繁孝, 森三佳, 勝野元成, 村田隆彦, 山口琢己, “1.75トランジスタ画素構成による1/4型200万画素CMOSイメージセンサ,” 映像情報メディア学会技術報告, vol. 28, no.23, pp. 31 – 34, 2004.

書込番号：26207116

[YoungWay]

＞ほoちさん
> CCDや或いは過渡期にそういったもんがあったのか、、無かったのか。ただの不正確な図の可能性が大きいですかね

あの図は間違いではなく、あれで正しいようです。
半導体にはあまり詳しくないのですが、少し追加で調べました。

私が書いた、

> 私の理解ではCMOSロジック半導体は、nサブストレートなのがふつうだと思うので、

は事実と異なり、サブストレートはn型とp型両方の実装がありますが、一般的なロジックLSIではpサブストレートが圧倒的に多いようです。
それで、「従来のCMOSイメージセンサー」で、pサブストレートの上にわざわざpウェルを形成している理由は、フォトダイオードから転送される電荷量がかなり少く、精密な電荷転送が必要だからということのようです。
νMicoviconの実装ではnサブストレートの上にpウェルを形成する自然な構成になっていますが、埋め込みフォトダイオードを採用した現代のCMOSイメージセンサーでは、このnサブストレートを用いる構成が一般的らしいです。
というわけで、νMicoviconはますます現代のCMOSイメージセンサーの先祖という感が強くなってきましたね。

書込番号：26207142

[ミスター・スコップ]

ごめんなさい！

2つ上の書き込みにおける誤記訂正です。

「3. CMOSセンサの原理
MOSセンサは　‥‥　日本ではNHKの安藤(【誤】隆男 →【正】文彦)たちによって孤軍奮闘的に開発が進められ，国際的にCMOSセンサの第一号とされている．」
(4) CMOS撮像デバイスの基礎　(黒田隆男さん/パナソニックセミコンダクター、映像情報メディア学会誌、2014)

こちらは、文字化けに対する修正です。

[19] M. Mori, M. Katsuno, S. Kasuga, T. Murata, and T. Yamaguchi, “A 1/4in 2M Pixel CMOS Image Sensor with 1.75Transistor/Pixel,” IEEE ISSCC Dig. of Tech. Papers, pp. 110-111, 2004.
[21] 春日繁孝, 森三佳, 勝野元成, 村田隆彦, 山口琢己, “1.75トランジスタ画素構成による1/4型200万画素CMOSイメージセンサ,” 映像情報メディア学会技術報告, vol. 28, no.23, pp. 31-34, 2004.

書込番号：26207154

[ミスター・スコップ]

補足です。

文献(4)図1には、MOSイメージセンサーとCMOSイメージセンサーとが掲載されていますが、「画素内部の読み出しアンプの有無」以外、ほぼ同じ回路構成となっています。以下なら、この事が反映された、文献(4)図2や文献(3)図1･5に当て嵌まる構成となるはずです、多分！！

[3Tr構成、ソースフォロワー]
・N型Si基板
・増幅Tr：PMOS
・行選択/リセットTr：PMOS
・リセットTr：NMOS

書込番号：26207267

[ほoち]

＞YoungWayさん

なるほど勉強になります
そうすると埋め込PDとセットで説明されるべき正しい情報だったということですね 、そして一般的な

NMOSの謎には近づきませんでした

書込番号：26207299　スマートフォンサイトからの書き込み

[ほoち]

＞ミスター・スコップさん

挙げて頂いた資料全部よんでますー

＞文献(4)図1には、MOSイメージセンサーとCMOSイメージセンサーとが掲載されていますが、
＞「画素内部の読み出しアンプの有無」以外、ほぼ同じ回路構成となっています

こちらはこのスレに出てくる「従来のCMOSセンサー」の前の前の世代ぐらいの話ですね
この頃にそのような呼び分けが定着していたのかどうかわかりませんけど

アンプが内蔵されて、4Tr構成になってから、CMOSは一般的に利用されるようになってきたと思ってます
その後、埋め込みPDと、回路共有が出てきて、CCDと勝負出来るようになった、その世代のνMicoviconは この分け方には当てはまらないはずですね

そしてこの埋め込みPDを実装するのが「従来のCMOSセンサー」と違い標準プロセスでは製造できなくなった、という認識です
なのでそれをなんと呼ぶかはもう自由なのかなと

書込番号：26207319　スマートフォンサイトからの書き込み

[しま89]

全く、E-330がどうのこうの、NMOSどうのこうの、同じようなこと書かくなら別にスレ上げてくださいずっと平行線です。
有効画素数も総画素数も違う仕様で書いてあるメーカーの仕様表を信じない回答は不用です。噂は噂でなんでもありになってしまいます。
パナソニックはGH6以降のセンサーは要求仕様が従来のパートナー会社で満足できないので自社調達してますし、パートナー会社のセンサーのラインナップにはパナソニックが使用しているセンサーはGH5mk2しか記載されてません。
裏面照射型でLive MOSにOMDSがこだわる理由が知りたいです、OM−5mk2がOM−1のセンサーで出したら回答が出そうですが

書込番号：26207639

[ほoち]

＞しま89さん

それは失礼しました

本題は、裏面照射にしたら配線層を工夫して開口面積を広げる意味が無いのでLiveMOS以前のCMOSのままの読み出し回路になってるだろう
というような意味でしょうか？

書込番号：26207654　スマートフォンサイトからの書き込み

[YoungWay]

＞しま89さん

お役に立てなくて残念ですが、平行線になったのは another truth ということだと思いますので、お気に障ったのであれば申し訳なく思います。
しま89さんが望まれる書き込みがあると良いですね。

今回、このスレッで交わされた議論は、私にとってはたいへん有意義でした。

それではまた。

書込番号：26207767

[しま89]

OM-5MK2は結果従来のセンサーみたいで、USB-C対応が目玉なんですかね。
裏面照射型 Live MOSセンサー搭載と期待してたし、OMDSはコストダウンでセンサーを同じにすると思っていたのですが
Live MOSセンサーにすることで基盤の回路が同じだからお得意のエンジンの機能制限で入門機から上位機種まで積層センサーで、別なメーカーと同じように、エントリーでもプレミア感を出すとは違ったんですね。
そうなるとますます裏面照射型 Live MOSセンサーて何なのかな、裏面照射型積層CMOSセンサーではダメなのかな。

書込番号：26208404