


▽トヨタ自動車、
▽デンソー、
▽ソニーグループ、
▽NTT、
▽NEC、
▽ソフトバンク、
▽半導体大手のキオクシア、
▽三菱UFJ銀行
が出資するそうなんだ
意味がわかんないけどどうゆう事なのか?
ルネサスに出資して増産してもらうのはダメなのか?
2ナノの半導体を作るとかゆってたけど、そんな小さなウェハースに電子回路を焼き付ける歪みのないレンズを作れる技術や漏電しない技術があるのか?
自動車の半導体にそんな高性能な半導体がいるのか?
書込番号:25004638 スマートフォンサイトからの書き込み
0点

あと10年、20年経たないと成果は出ないと思うよ。
書込番号:25004653 スマートフォンサイトからの書き込み
3点

>おにゃんこぽんぽんぽんさん
>自動車の半導体にそんな高性能な半導体がいるのか?
高性能な自動運転の自動車には必要見たいです
書込番号:25004665
4点

EVには不可欠
EVの性能はパワー半導体次第と言っても良いくらい。
製造プロセスを半分すると発熱は1/4になる。
発熱はエネルギーロスで効率が落ち、耐久性も短くなる。
製造プロセスが大きいと電圧を上げることが出来なく電流を上げると発熱してしまう。
充電にしても放電にしても高電圧の方が発熱が少ないので高電圧化が必須。
電池は発熱しなければ寿命は200万キロとか。
400V350A=140kWだけど800Vなら175Aで同じで発熱は半分になる
800V350Aなら280kW 1200V350Aなら420kW 60kWhなら8.5分で大凡400km走れることになる。
1200Vシステムなら2nmの製造プロセスが必要。
低プロセスは米国がその技術を牛耳っている
中国単独では作る事が出来ない。
オランダが持っている世界唯一の露光機じゃないと7nm以下が作れない。
なので未だ中国は米国から輸入を禁止されているので中国独自では作れなかった。
(最近作れるようになったらしいが中国独自かどうか定かではない)
Huaweiに行った制裁を中国全体にかけて勢力を弱めようとしている。
その為に米国は中国に圧力をかけて中国に作らせないように進めている。
今は台湾と韓国だけどどちらも軍事的に不安定な状況にある。
米国は日本に半導体を作らせないように圧力をかけていたが
この状況下では韓国・台湾は不安定なので日本に作らせるように進めている。
こう言った物作りは東アジアが得意でこれまで工業製品は東アジアに限定している。
日本は元々半導体では世界ダントツだったはずだが米国によって押さえ込まれた。
こう言った技術は世界中の特許などによって作られていて米国の技術だけではは作れない。
Huaweiの場合も米国の技術25%以下では対象にならなかったのに
米国が無理矢理少しでも使っては駄目と制裁した。
米中の覇権争いによって日本は高度半導体を作ることが許可されたという感じかな。
米国は米国の意思に反するとすぐにスーパー301条を発令するので米国の思惑次第。
書込番号:25004737
0点

既にTSMC2ナノ線表だしてますよね?
書込番号:25004752 スマートフォンサイトからの書き込み
1点

https://k-tai.watch.impress.co.jp/docs/news/1455028.html
>世界的に次世代半導体の開発が加速しており、最先端の半導体の量産には、高度な生産技術が必要とされており、半導体生産の転換期だという。
>経産省は、この転換期について「日本が改めて次世代半導体に参入するラストチャンス」としており、今回の取り組みを進めてている。
自動運転や、スーパーコンピューター、AIなどに必要です。
これから未来に必要になるものです。
>ミヤノイさん
>EVには不可欠
>EVの性能はパワー半導体次第と言っても良いくらい。
EVに不可欠じゃねーし。
パワー半導体違うし。
「パワー半導体は、モータや照明などの制御や電力の変換を行う半導体です。扱う電圧や電流が大きいことが特徴です。」
https://www.semicon.sanken-ele.co.jp/guide/powersemicon.html
書込番号:25004757 スマートフォンサイトからの書き込み
5点

こんな合従連衡、うまくいかない匂いがプンプンするね
主導権争いや他社への押し付け、etc
強力なリーダーシップを誰かが発揮してトップダウンでやらないと
うまくいかない気がする
書込番号:25004763
2点

>しいたけがきらいですさん
また、天下り、利権構造、利益誘導の匂いがプンプンですね。
書込番号:25004776 スマートフォンサイトからの書き込み
0点

>(^(工)^)さん
そうだよ だからEVには不可欠
書込番号:25004791
0点

>ミヤノイさん
また、ワケのわからないことを言い出した。
書込番号:25004797 スマートフォンサイトからの書き込み
7点

>(^(工)^)さん
もう訳の分からないのは貴方 構造も仕組みも分からないで言っているんだから説明しても無駄。
書込番号:25004818
0点

>ミヤノイさん
>構造も仕組みも分からないで言っている
私はロジック半導体はともかく、パワー半導体は専門外だから口出しは控えていますが、あなたも本当に構造や仕組みを理解している人に、ちゃんと説明できる訳ではありますまい?
ルネサスでさえも、日立系と三菱系に、日電系も加わり、「中の人達」は大変だったみたいですよ。
古くは通産省主導のコンピュータ業界再編、ちょっと前ならジャパンディスプレイとか、いずれにせよ総力を結集して結果が出せるまで、お手並み拝見ですね。
書込番号:25004841 スマートフォンサイトからの書き込み
3点

最先端半導体がどうこうって報道してたけど、2027年にはサムソンが1.4ナノ生産とか言ってるのに
5年後に2ナノプロセスの生産目途って相当時代に遅れてるよね。
技術者はこれから育てるとかね、もう訳ワカメ。
書込番号:25005258
0点

パワー半導体ってご存じ?、素材の問題、ウエハーの配線幅ではない。
Si−CやGa−Nじゃないですよ。
書込番号:25005454
1点

>チビ号さん
彼が自分で貼った引用にも書いてあるのにEVの性能はパワー半導体次第って事が分からないんじゃどうしようもないね。
トヨタが主導のようだし自動車用が主な使い道でしょう。
パワー半導体と通常の半導体では内部が違うからAIとかPCとかと一緒には出来ない。(両方の生産可能性はあるが)
パワー半導体そのものはインバーター・コンバーターの類い事。
どんな電気製品にも使われているしAC-DC/DC-DC/DC-ACインバータ−・コンバーターのこと。
自動車用だと高圧・高電流なので高い耐性と低発熱が求められ製造プロセスが大きいと発熱が酷くなる。
発熱=電気ロスなので10kWhを供給しても車の電池には10kWhが充電されるわけではない。
しかしこれまでのSiパワー半導体では限界が有りロスが大きい。
製造プロセスを小さくすると同時にSiC半導体が不可欠になる。
耐性は10倍に上がる。
スマホでは普通は5W充電で急速充電をしても18W程度しか出来ず発熱が酷く電池の寿命も短くなる
中国のスマホではGaNパワー半導体が使われていて120Wの充電も出来て尚且つ発熱もなく電池寿命も長い。
SiC半導体はまだ高価でbz4xもアリアも採用出来なかった。
テスラとATTO3やドルフィン・アイオニック5はSiC半導体を採用。
これにより高い電費性能と高く安定した充電性能と電池の長寿命が可能になる。
同じSi半導体のbz4xとアリアでもbz4xのパワー半導体の性能が低くアリアの方が優れている。
日産の長い経験からアリアの方が優れている。
bz4xが何故、低い評価なのかはこのパワー半導体の性能が悪いから。
だからEVはパワー半導体の性能次第。
BYDの評価が高いのもドルフィンなどの200万円コンパクトカーまでSiC半導体を採用出来ていることにある。
電池の寿命は考える必要もなく、パワーユニットはATTO3でもアリアやbz4xの半分以下の大きさ。
トヨタでもbz4xでSiC半導体を検討したようだけど高価すぎて採用出来なかった。(車両価格の5%相当)
それでもレクサスRZでは後輪モーター駆動のみSiC半導体を採用の予定だが本体はbz4xに準拠。
EVには400V200Aとか高電圧高電流を定格3.6Vの電池に充電するDC/DCコンバーター・DCチャージャー
電池から取り出しモーターを駆動するDC/ACインバーター
家庭用200V(100V)から充電するAC/DCオンボードチャージャー
これらの変換ロス(=発熱)をいかに小さくするかで性能が変わる。
ただこれらの開発スピードは激しく3年前に7nm→2年前に7nmEUV→昨年に5nm→今年3nmと進化が激しいので
5年後には2nmは最先端とは言えなくなるかな。
書込番号:25005482
0点

>ミヤノイさん
相手が何に反論しているか理解しましょう。
>EVの性能はパワー半導体次第って事が分からない
あのメンツで、パワー半導体を作るのですか?という話でしょうに。
少なくともキオクシアはフラッシュメモリの大手だし、わざわざルネサスと競合させたら、力を合わせる意味が半減するしね。
自動車向け半導体(マイコン)としても、今とはケタ違いの処理能力を有する製品を担うのかな?
ロジック半導体ならリーク電流、パワー半導体ならオン抵抗の話があるから、微細化すれば全て解決!という話でも無いんだよ。
書込番号:25005599 スマートフォンサイトからの書き込み
2点

>チビ号さん
もう読まれたかもしれませんが、日経に新会社の事業計画に関する記事が出ていましたのでご参考まで。
https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUC111LO0R11C22A1000000/
記事は有料会員限定ですが、簡単に要約すると以下のとおりです。
・国産化するのは自動車の自動運転や人工知能(AI)の「頭脳」を担う次世代のロジック半導体
・27年に2ナノ(ナノは10億分の1)メートルの製品の国産化を目指す
・2ナノ品についての製造技術などを確立し「5年後に最先端ファウンドリー(製造受託事業)を日本で実現する」計画
・現在は10ナノ未満の先端品の9割は台湾でつくられ、有事の際に日本が半導体を確保できなくなる可能性が高い
・日米は半導体を経済安全保障の要に位置づけ、政府・自民党は国が前面に立ち国産化を後押しする方向にカジを切った
・焦点となるのは、量産体制にむけたヒト、モノ、カネの確保
・半導体製造に知見のあるエンジニアが欠かせず、将来の製造に向けては装置や工場を確保しなければならない
・先行投資の局面を支える資金力も求められ、世界の大手と競うハードルは高い
書込番号:25005776
2点

奇しくも、
ロジックを持ってロジック半導体だと説明される者。
パワーでごり押そうとパワー半導体だと無駄な長文を書く者。
後者のその姿は半導体どころか、パワー絶縁体。
書込番号:25005828 スマートフォンサイトからの書き込み
2点

>あいる@なごやさん
要約ありがとうございます。
ロジック半導体が微細化のたびに新たな問題を解決しなければならなかったのと同様に、将来的には2ナノ相当(という表現にも違和感はありますが)でパワー半導体を生産する事もあるでしょうが、いくら自動車関連?でも部外者が言うほど簡単な話では無いですね。
ロジックにしても、いくら最先端で処理能力が高くても、冷却に苦労したり、大食らい過ぎて電源コネクタが焼損するなら、自動車への採用は難しいかと。
ロジック半導体とパワー半導体では、ウェハ上の構造も設計手法も、月とスッポンと言えるでしょう。
私もアナログ主体の現場でロジック部分を担当した時は・・・おや、誰か来たようだ。
>(^(工)^)さん
座布団どうぞε=ε=ε=ε=(*’-’)っ■
書込番号:25005837 スマートフォンサイトからの書き込み
2点


チビ号さん、お座布ありがとうございます。
+ +
∧_∧ +
(0゚・∀・)
(0゚∪ ∪ +
と__)__) +
=========
書込番号:25005869 スマートフォンサイトからの書き込み
1点

どうしてここでパワー半導体の話がでてくるの?
新会社は「ロジック半導体」と呼ばれる演算機能をもつ先端半導体の量産に注力する方針だし、
半導体の回路線幅が2ナノより細い次世代半導体の開発を目指してるんだよ。
勝手にEVに絡めないでもらえる?
書込番号:25005872
4点


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