『SDRAM 1,3スロットに挿すとBIOS起動時に警告』のクチコミ掲示板

2022年 1月 5日 発売

TUF GAMING B660M-PLUS D4

  • B660チップセット搭載のゲーム入門者向けMicroATXマザーボード(ソケットLGA1700)。第12世代インテル Coreプロセッサーに対応。
  • PCIe5.0対応PCIe×16スロット、USB3.2 Gen2×2 Type-C、2基のPCIe4.0×4接続対応M.2スロットを装備。
  • ネットワーク機能にはRealtek 2.5GbEを搭載。RGB LEDイルミネーション機能を備えている。
最安価格(税込):

¥30,000

(前週比:±0 ) 価格推移グラフ

価格帯:¥30,000¥30,000 (1店舗) メーカー希望小売価格:¥―

フォームファクタ:MicroATX CPUソケット:LGA1700 チップセット:INTEL/B660 詳細メモリタイプ:DIMM DDR4 TUF GAMING B660M-PLUS D4のスペック・仕様

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TUF GAMING B660M-PLUS D4ASUS

最安価格(税込):¥30,000 (前週比:±0 ) 発売日:2022年 1月 5日

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SDRAM 1,3スロットに挿すとBIOS起動時に警告

2023/12/17 00:13(1年以上前)


マザーボード > ASUS > TUF GAMING B660M-PLUS D4

クチコミ投稿数:183件

SDRAM 1,3スロットに挿すして電源を入れると、BIOS起動時に警告されました。
そのまま起動を進めるとWindowsが立ち上がるのですがCPU-Zでメモリ周波数を見ると1064MHzしか出ていませんでした。そこで、2,4スロットに挿して電源を入れるとBIOS起動で何も言われず、Windowsが起動した後1596MHz出ているようです。

私のマザーは個体的に故障していると考えて間違いないでしょうか?

書込番号:25548974

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クチコミ投稿数:9225件Goodアンサー獲得:1138件

2023/12/17 00:18(1年以上前)

ASUSが親切に教えてくれているだけなのでは?

書込番号:25548981

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クチコミ投稿数:31502件Goodアンサー獲得:3157件

2023/12/17 05:41(1年以上前)

取説ちゃんと読んだ方がいいよ。

常識的には、A2, B2から挿さないと設計どうりになってません。

A1, A2とかに挿すと1chに2枚のモジュールがぶら下がることになるので電気的には厳しいです。
そういう使い方をするなら、QVLに載っているモジュールにした方が良いです。
DDR4はまだ4枚挿しを許してますが、多くのメモリーは4枚挿しできません。

書込番号:25549110

ナイスクチコミ!0


沼さんさん
クチコミ投稿数:28251件Goodアンサー獲得:2473件

2023/12/17 05:54(1年以上前)

メモリーが スペック で対応 しているか確認する。

メモリー取り付け の 推奨画像 ・・

書込番号:25549114

ナイスクチコミ!0


殿堂入り金メダル クチコミ投稿数:42006件Goodアンサー獲得:7825件

2023/12/17 07:54(1年以上前)

故障などはしていません。
DDR4では外側のスロットで起動できる様に最適化されてるので内側と外側で条件は同じでは無いです。
なので、DDR4では内側(1.3番側)にメモリーを取り付けるとそのまま起動する場合も有りますが、起動できないので遅くする場合も有ります。
マニュアルに推奨スロットの記載はちゃんと有ります。

また、1.3番スロットに2枚挿しするより4枚挿しする方が条件は良いので1.3番はタイミングが取りにくいので遅くなります。

書込番号:25549169 スマートフォンサイトからの書き込み

ナイスクチコミ!0


クチコミ投稿数:31502件Goodアンサー獲得:3157件

2023/12/17 14:14(1年以上前)

>揚げないかつパンさん
>DDR4では外側のスロットで起動できる様に最適化されてる

最適化しているのではなく、電気(波)とはそういうものだからです。

高校物理で(昔は?)教えてましたが、波というのは、固定でもフリーでも端っこで反射します。
反射しない条件というのが有って、それは、電気の場合は、インピーダンスがマッチしているときです。
コネクタは当然ながらオープンなのでほぼ100%反射しますが、メモリモジュール内で終端すれば、そこで反射を抑えることが出来ます。

反射すると信号が安定しませんので、信号の遅延が生じ、設定されたタイミングに間に合わなくなります。
デジタルの弱いところですね。

2枚挿しすると、分岐するので、そこでインピーダンス不整合が生じます。
手前のスロットに挿すと、分岐してさらにフリーの端で反射しますので条件は悪くなります。

イチゼロでやってるデジタル回路は全部一緒。

メモリは年々速くなってますが、距離が短くなってるわけじゃないので、年々シビアになってます。
DDR5はついに音を上げて、2枚挿しすると速度低下するという仕様になったようですけど、手前に挿すとそれよりも条件が悪くなることは想像に難くないです。

書込番号:25549580

ナイスクチコミ!0


殿堂入り金メダル クチコミ投稿数:42006件Goodアンサー獲得:7825件

2023/12/17 15:07(1年以上前)

>ムアディブさん

違います。
メモリーモジュール内でプルアップしたらそこでインピーダンスの整合をしてしまうので、外側のメモリーモジュールに信号が届きません。
これは一般的にメモリーはディーチェーンで接続されるためですが、これを回避するためにはT-トポロジーという方法で分岐して各スロット毎プルアップして反射波をそれぞれのスロットでインピーダンスの整合性をとる方法もあります。
何故、外側で最適化してるといったかはもうわかると思うのですが、外側でインピーダンス調整をするためです。

したがって最適化を外側でしているで間違ってません。
ちなみにT-トポロジーはスロットの前で信号線を分岐する必要があるために速度が出せません。
現状、OCメモリーで速度が出ることがマザーの売りの一つであるため、ディジーチェーンで接続することが一般的ですし、DDR5ではメモリーメーカーも音を上げてるは嘘ではないですし、そもそもDDR4時代から、メモリーメーカーは1ラインで1つのモジュールにしてほしいといってます。
だだ、これにはCPUメーカーやマザーメーカーからの反発があるので妥協しています(最大搭載容量が減ることを強要できない)

自分的にはソケットのピン数をこれだけ増やしたし8層や10層のマザーもあるので2スロットを標準にて4チャネルは高級マザーで対応で」良いんじゃないかと思わないでもないです。
それで内部バスも256bit転送に対応させれば帯域2倍になるし、メモリーを大量に積みたい人には申し訳ないけど2枚で128GBでもできそうだから、良いんじゃないと思う。

どちらにしても、メモリーの高速化についてはメモリーモジュールとの距離が遠いので、速度を上げると反射波できついしという感じだから何か対策しないと難しいですね。
DDR5などはデータ線でデータが変異することまで想定してモジュール内でパリティチェックを入れる始末だし

書込番号:25549637

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uPD70116さん
殿堂入り クチコミ投稿数:33906件Goodアンサー獲得:5793件

2023/12/17 17:30(1年以上前)

大体1,3スロットというのはどれのことなのでしょうか?
マニュアルではCPUに近い側からA1,A2,B1,B2となっています。

書込番号:25549877

ナイスクチコミ!0


殿堂入り金メダル クチコミ投稿数:42006件Goodアンサー獲得:7825件

2023/12/17 17:44(1年以上前)

まあ、それは分かってますが、きちんと書こうと言う意味も分かりますが意味が通じない(予測できない)訳では無いので合わせてました。
でも、そこは類推しても良いところだとは思います。

書込番号:25549900 スマートフォンサイトからの書き込み

ナイスクチコミ!0


沼さんさん
クチコミ投稿数:28251件Goodアンサー獲得:2473件

2023/12/18 04:48(1年以上前)

スレ主さん・・反応がありませんね〜

書込番号:25550515

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