『PC3700テスト』のクチコミ掲示板

[maiko]

人柱、散財、おバカ覚悟でPC3700のテストをしてみました。

使用メモリ（バルク）
TwinMOS PC3700(CL2.5) 512*2
基盤：TTI GB3-212BX
チップ：TwinMOS TMD7608F8E43B（4.3nsですね）

TwinMOSでの検証結果はこちらです。
　　http://www.twinmos.com/Marketing_Press2003_0304.htm

テスト環境：3.06Ghz、HDD*2、IDE Drive*2、480W電源

このメモリは2.7V±0.1VなのでNORMALでは起動せず、一度低速メモリでDRAM電圧を+0.1V上げてからメモリを交換します。
（+0.1Vしか上げられないのはツライ。BIOSでの改善で何とかしてほしい）

上段がSandra2003、下段がAIDA32の結果です

CPU Clock：133 DRAM Clock：400
Int：3367MB/sec　Float：3374MB/sec
Read：3407MB/sec　Write：1345MB/sec

CPU Clock：155 DRAM Clock：464（TwinMOSでの同一条件）
Int：3853MB/sec　Float：3845MB/sec
Read：3794MB/sec　Write：1672MB/sec

う〜、メーカー（TwinMOS）での結果より若干下回りました。

次にMemtestの結果です。（エラー状況）

Single（１枚挿し）：DRAM Clock460MHzからエラーが出始める
Dual（２枚挿し）：DRAM Clock424MHzからエラーが出始め、434MHzで約40/1pass、464MHzで約8000/1pass
（全てTest#5だけ出ます）

当方のPC3200Dualでエラー無しは410MHzまでしたから、PC3700Dualでもあまり変わりませんねぇ。メモリ設定は手動でも自動でもテスト結果は変わりません。手動の場合はタイミング外すとBIOSが立ち上がらず、CMOSクリア後下位メモリ交換でDRAM電圧を上げなくてはならないので大変です。（なんでクリア用のジャンパが無いのかね？）

もともとDDR400は対応していないし、GIGAのサイトではDDR433から466までは400MHz動作だとしてるし、エラー無し常用は420MHzというところでしょうか？

DDR466対応マザーなんて無いしメモリはバルクだしで、あまり役立つ情報ではありませんが、一応結果報告でした。

PS 1：あ〜散財した〜（このメモリ、Canterwoodが出たら試してみよっと）
PS 2：この話題好きなようにタタいてくれて結構です。

書込番号：1429504

[あも]

maiko　さんこんばんわ

貴重なデーターありがとうございます。
人柱と覚悟と仰いますけど、財布をいためてテストしているわけですから、中々得がたい情報です。

書込番号：1429518

[maiko]

別件です。
ASUSのP4SDXで「SiS IDE Driver」を使用している方を見かけたので導入してみましたがXP標準とあまり変わりませんでした。デバイスマネージャーのタブに接続IDEが表示されます。

何方か試された方はおりますか？

書込番号：1429528

maikoさん今日は。
貴重な検証結果を有難うございます。
私の勝手な推測ですが、デュアルでのクロックが伸びないのは
SIS655のメモリコントローラーの限界が低いためでは？と考えております。
メモリのデュアル動作はかなりシビアな物と思いますしね。
シングルのメモリクロック４６０Mhz辺りから、
エラーが出始めるとの事なので、そう思っただけなんですけど、、、。
勿論SISでは正式に３３３Mhz迄のサポートですので、
動作しなくても文句は言えないんですけどね。
もう少しBIOSの設定でメモリ電圧が上げられると、
結果も変わるかもしれませんし。
久しぶりに乗っ取りして見ようかな？なんて考えてしまいます。

最後にとても参考になりました。

書込番号：1430140

[ＮなＡおＯ]

そのメモリ400MHzの5-2-2-2 DUALは使えますか？
買うか迷うので。

書込番号：1430146

[maiko]

Kimiyanさん、こんにちは
＞SIS655のメモリコントローラーの限界が低いためでは？
私も同様の見解です。DDR400も場合によっては動きますよってぐらいの感じですから、良しとしましょう。
今回、PC3200、PC3700とテストしてみましたが、必ずTEST #5[Block move,64 moves,cached]でエラーが出ます。私も詳しくはないのですが、64bitでの受渡しがうまくいかなくなるのでは？と解釈しています。詳しい方のコメントがいただけるといいと思います。
nForce2でもあればメモリ側ももう少し調べられるとは思うのですが、現時点ではDDR466対応マザーが無いだけに推測の域を出ません。技嘉サイトでの検証メモリ以外ではどうなんでしょうね。
また、同様に電圧がもう少し上げられればと思います。そうすれば常用域ももう少し上がるでしょう。
とにかく、TwinMOSでの検証条件ではベンチ結果だけのことで常用にはとても無理ですね。現実的には常用域MaxはSandrs2003での3700MB/secではないかと結論しました。環境によってはPC2700でも3500MB/sec台は出せます。

ＮなＡおＯさん、こんにちは
400MHzの5-2-2-2 Dualですが、起動しません。BIOSも出ないし電源もSWでは落ちませんでした。（もちろん+0.1Vです）
メモリ周りはAuto以外では緩め方向でしか起動しません。（あまり役立たない設定項目な気がします）
Corsairのメモリならどうなのでしょう。

書込番号：1430400

[maiko]

追加情報です
｢GeIL Platinum Series 512MB，XMS3700(PC466)｣というメモリのコメントがあります。
＞●コメント
＞DDR450/CL2(Albatron KX400-8、電圧2.8V)でMEMTEST3.0を完走しました。
＞DDR466/CL2だと2.8Vではエラーが検出されてしまったので、2.8V以上の電圧をかけないと駄目なようです。

http://www.users-side.co.jp/shopping/list_nfrm_mem.php?show=oc_ddr

このコメントを見ると、今回テストしたTwinMOS PC3700(CL2.5) 512　TMD7608F8E43BもDRAM電圧を上げられればかなりいい線までいきそうです。
BIOS更新でDRAM電圧設定項目増えてほしいなぁ〜。

書込番号：1430681

>>maikoさん
#test5でフェイルすると言う事は・・・添付のReadmeを読む限りでは、DRAMチップ自体がフェイルすると言うより、基板上の電源-GND間ノイズで高速動作時にデータが化けていると言う感じがいたします。基本的なチップ単体でのDRAMのファンクションに問題があればそれ以前のテストでフェイルすると考えられますから。セルの物理的な配置による隣接セル間のリーク関係も除外して良さそうです。(DRAMのたちが悪い不良の一つ)

　1枚挿しより2枚挿しの方が明らかに動作上限の低下が見られてますから、チップ単体の能力と見るより、2枚挿しによる電源周りへのノイズの影響が大きそうですね。1枚ごとテストすると、どちらももっと上まで動作するんだと仮定していますが。
Readmeの記述中に"Robert Redelmeier's氏のburnBXテスト"をベースに作成したパターンとありますが、チップセットに負荷のかかるパターンを作ったのかなと言う感じもしました。Readme自体は説明不足ですが、大体のテストパターンは推測は出来ました。テストパターン自体と言うよりmovselコマンド？によるブロック転送時に問題が起きそうですね。チップに流れ込む電源からの電流でGND配線の瞬間的な電圧上昇あたりがフェイルする原因となっていそうです。（まぁ、test4などで落ちても同じ原因が考えられそうですが。）さらにDIMM基板、それも電源周りの強化が必要なのかも知れません。私がもしM/B作る側でしたら、各メモリスロットの電源部分に電解コンデンサをかますと同時に、もっと周波数特性のいいコンデンサを並列に接続し、出来ればインダクタつかって各メモリ間のVcc-GND間ノイズ干渉を防ぐような設計にしたい所です。今時のメモリのノイズって完全に高周波ですから、アナログRF回路の設計に熟練した技術者を擁すれば、M/Bメーカーも優位に立てそうな・・・。

って、独り言でした。m(__)m

書込番号：1432203

[maiko]

でんぽさん、貴重なコメント有難うございます。確かメモリ関係のお仕事に従事されているのですよね。

やはりノイズが一因として推測されるのですね。

書込番号：1432231